据理解，根据Visible Alpha汇编的华尔街剖析师预期，剖析师们普遍估量美光2024财年第二季度的收入将达到53.3亿美元，高于上一季度以及2023年同期。数据加上预期的营收增长，该公司估量将录得2.76亿美元(摊薄后大约每股亏损26美分)旁边的净亏损，较上年同期高达20.8亿美元(合每股亏损1.91美元)的亏损明显收窄。这两项数据都符合美光供应的季度指引。
来自花旗的有名剖析师Christopher Danely上周在一份投资者报告中写道:“鉴于消费电子真个DRAM价格强劲上涨，以及绑定英伟达新款AI 芯片的HBM存储系统售价更高、利润率则远高于DRAM，我们估量该公司将公布高于市场预期的古迹，并将大幅上调2024财年第三季度的古迹预期。”
Christopher Danely重申该机构对付美光的“买入”评级，并将目标价从95美元大幅调高至150美元，意味着未来12个月的潜在上行空间高达60%。此外，剖析师Danely估量美光2024财年第三财季的总营收将高达60亿美元，并且环比由亏损转为获利，估量Q3的每股收益约为0.26美元，紧张基于HBM存储系统需求激增以及DRAM发卖额大幅增加。
Danely目前估量，美光2024财年的每股亏损约为0.58美元，2025财年的每股收益有望高达6.65美元，而此前的预测分别为每股亏损1.29美元和每股收益6.38美元。
美光关键指标之一：DRAM带来的营收
有名研究机构TrendForce近日发布报告称，在2023年第四季度，全体DRAM存储行业的营收规模都处于增长趋势。“这是受美光、三星以及SK海力士等领先环球的制造商规复库存常态化的努力和计策生产掌握行为的推动。”TrendForce在报告中写道。
TrendForce估量，由于价格和销量的持续上涨趋势，环球DRAM行业在第四季度的整体营收增长速率将靠近30%。该机构估计，美光在此期间霸占了19.2%的市场份额，成为仅次于三星和SK海力士的环球第三大DRAM制造商。
据TrendForce研究，展望2024年第一季度，环球DRAM行业发卖额规模估量将增长。针对第一季度的价格预期，TrendForce集邦咨询坚持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%;NAND Flash则是18-23%。虽然目前市场对第二季整体需求意见仍属守旧，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023年第四季下旬，以及2024年第一季调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在第一季将陆续完成库存回补，因此，DRAM、NAND Flash第二季合约价季涨幅皆收敛至3~8%。
TrendForce估量，第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端做事业者(CSP)的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未规复至满载的条件下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。个中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，沾恩于均匀单价提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季在供应商能够坚持有效的控产策略的条件下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%。
此外，须要留神的是，TrendForce所预期的DRAM合约价涨幅扩大的大部分逻辑来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅不雅观察单一产品，例如DDR5，仍可能涌现季跌，意即今年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒种别全面上扬，而是产品种别逐渐转移之故。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。
华尔街有名投资机构Wedbush的剖析师们则估量，美光2024财年第二季度的DRAM营收规模将达到39亿美元，高于上一季度的34.3亿美元和2023年第二季度的27.2亿美元。鉴于美光超过75%营收来自DRAM(个中包括HBM带来的营收)，因此DRAM营收规模激增将有助于大幅缩小公司亏损。
来自韩国的存储巨子SK海力士估量存储芯片市场状况已经从第三季度已经开始明显改进，估量2024年价格与销量将大幅改进，与三星电子的乐不雅观预期相呼应。
HBM——有望成为美光的“创收新引擎”
华尔街剖析师们普遍预期，美光估量将供应更多有关其为英伟达AI 硬件系统生产的HBM存储系统的更多细节。剖析师们普遍预期HBM至少在未来三年内将成为美光营收规模增长最快的细分业务，并且其规模在未来三年旁边韶光里，有望与DRAM以及NAND这两项美光传统业务相提并论。
美光操持于 2024 年初(大概2月份)开始大批量生产并 HBM3E 新型存储产品，并开始陆续交付，同时还透露英伟达是其新型 HBM存储产品的紧张客户之一。此外，该公司强调其全新HBM产品受到了全体行业的极大兴趣，这暗示英伟达可能不是唯一终极利用美光 HBM3E 的大型客户。美光显然对 HBM3E 寄予厚望，由于这可能使其能够领从SK海力士以及三星电子手中不断赢得市场份额，以全面提高公司营收和利润。
根据一些业内人士爆料，美光的HBM3E将支持英伟达搭载HBM3E的新款AI硬件体系——Grace Hopper GH200 超级算力体系(该算力体系配备基于 H100 打算 GPU 和 Grace CPU)，这表明美光在HBM领域的最新进展不仅是技能上的全面打破，也是其与英伟达互助深化的表示。据业内人士透露，英伟达即将发布的基于B100以及H200 GPU的超级算力体系可能也将搭载美光HBM3E。
在此前的财报电话会议上，美光首席实行官Sanjay Mehrotra表示，公司估量“在2024财年将产生数亿美元级别的HBM营收”，并估量强劲的增幅将持续至2025年。
随着美光陆续向英伟达交付HBM3E存储系统，高盛的剖析师们表示，该公司可能将扩展到包括AMD在内的其他客户。高盛的剖析师们写道：“相信美光在深化与英伟达的互助——即在未来的GPU平台上得到更高的市场份额，以及扩大英伟达以外的客户群方面还有非常大的空间。”
HBM是一种高带宽、低能耗的存储技能，专门用于高性能打算和图形处理领域。HBM堆叠的多个DRAM芯片连接在一起，通过微细的Through-Silicon Vias(TSVs)进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输。HBM紧张用于高性能图形卡、AI加速、高性能打算和数据中央做事器等领域，其高带宽特性，以及极低延迟和高能效比使得处理器能够更快地访问存储空间，大幅提高打算性能和效率。在AI根本举动步伐领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI做事器系统，以及即将问世的B100和H200等AI 做事器系统利用。
美光HBM3E 模块基于八个堆叠 24Gbit 存储芯片，采取该公司的 1β (1-beta) 制造工艺制造。这些模块的数据速率高达 9.2 GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/s，比目前最快的 HBM3 模块提高了 44%。与此同时，该公司不会停滞其基于 8-Hi 24 Gbit 的 HBM3E 组件。该公司宣告，继开始量产 8-Hi 24GB 堆栈后，操持于 2024 年推出超大容量 36 GB 12-Hi HBM3E 堆栈。
有名研究机构Mordor Intelligence预测数据显示，HBM存储产品的市场规模估量将从 2024年的约 25.2 亿美元激增至 2029年的 79.5 亿美元，预测期内(2024-2029年)复合年增长率高达 25.86%。
今年以来，美光股价上涨超13%，截至上周五收盘，过去12个月的涨幅超过70%。本月早些时候，随着剖析师们强调该存储巨子在人工智能热潮中的主要地位，该公司股价在今年达到创记录的历史高点，花旗表示，美光在该机构美股半导体板块的首选标的，紧张因该公司受益于AI芯片需求激增带来的无比强劲的HBM存储需求。
