长江存储交付192层NAND芯片？5年时间国产就追上三星、美光了_闪存_长江

我们再结合前段韶光的，那便是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则一结合，意味着国产存储芯片，真正追上环球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也便是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个观点，没有量产交付，估量是年底乃至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也便是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了天下顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多韶光，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技能，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技能，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采取Xtacking技能后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速率方面实现了行业领先的新标准，性能乃至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是掉队一代，而层数越高，密度越大，本钱就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在环球的市场份额约为4%，估量到再到2022年估量的7%。

可见，仅仅5年多韶光，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，往后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 由于我们不仅有，一样环球领先。