芯片的事情效率就变得尤为主要了。对付DC-DC芯片来说，很大一部分的事情效率的丢失来自开关管的导通损耗及开关损耗。当芯片开关上升和低落韶光短，开关频率较低时，导通损耗便占了芯片总功耗的很大部分。开关导通阻抗（Rdson）的大小决定了导通损耗的大小，以是对付AE而言，精确丈量Rdson就很主要。
降压芯片Rdson常用丈量方法的先容
利用100%占空比丈量上管Rdson
将芯片FB脚对GND短路，将R1分压电阻去掉，此时芯片会以100%占空比事情。即上管Q1会长开，下管Q2会关断，Vout近似即是VCC。
VCC供电，在Vout与GND之间拉取电流负载IL（电流只管即便避免过大，以免温度影响上管Rdson阻值），即流过上管Q1的电流，电流方向如图1所示。此时丈量a点与b点的电压值U并记录（电压丈量点必须紧贴芯片引脚端，最大程度减小PCB走线阻抗）
由欧姆定律R=U/I，可以打算出Rdson阻值。可以取多组数据，取均匀值以减小偏差。
把稳：此方法只有在芯片上管是PMOS，可以100%占空比事情，才适用
利用示波器进行Rdson丈量
大略估算
示波器3通道探棒接芯片SW脚（探针紧贴SW引脚，接地线紧贴GND引脚减小PCB走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：TeKtronixTCP202）测试电感电流。
VCC供电，让芯片事情在PWM电流连续模式，测试通道3和通道4波形。
测试通道3
图中蓝色为SW电压波形，赤色为电感电流波形；将黄色标示放大后连续不雅观察波形
测试通道4
通过不雅观察可以创造：当上管导通时SW电压是随电感电流增大而减小的，因此我们可以用以下公式粗略估算上管Rdson：
Rdson=△Vsw/△IL
△Vsw=VA-VB △IL=ID-IC
同理，此方法亦可粗略估算下管Rdson
精确估算
示波器通道1接Vin脚（探针紧贴Vin引脚，接地线紧贴GND引脚，减小PCB走线阻抗），示波器3通道探棒接芯片SW脚（探针紧贴SW引脚，接地线紧贴GND引脚，减小PCB走线阻抗），示波器通道4电流探头（型号：TeKtronixTCP202）测试电感电流。
VCC供电，让芯片事情在PWM电流连续模式，测试通道3和通道4波形。
测试通道3
图中蓝色为SW电压波形，赤色为电感电流波形；黄色为Vin电压波形，将绿色标示放大后连续不雅观察波形
测试通道4
通过不雅观察可以创造：
◆当在t1时候时，PMOS两端电压△Vmos1=V1-V3，而此时流过上管电流为I1，那么t1时候，上管Rdson1=△Vmos1/I1
=(V1-V3)/I1
◆当在t2时候时，PMOS两端电压△Vmos2=V2-V4，而此时流过电流为I2，那么t2时候，上管Rdson2=△Vmos2/I2
=(V2-V4)/I2
◆由分式合分比定理可以得出
Rdson=
即Rdson=
对付"利用100%占空比丈量上管Rdson"的测试，其局限性在于芯片本身可以100%占空比事情；但其测试值偏差较小，相瞄准确（忽略芯片内部绑定线阻抗）。
对付"利用示波器进行Rdson丈量"测试的大略估算，其测试值偏差相对较大，但可以用此方法测试下管Rdson。
对付"利用示波器进行Rdson丈量"测试的精确估算，其测试值偏差较小，相瞄准确（忽略芯片内部绑定线阻抗）；但测试过程相对繁琐，且受限示波器精度影响。
测试Rdson时，可根据实际条件灵巧测试。
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