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专利择要显示,本发明供应一种通孔型垂直构造LED芯片及其制作方法,个中,通孔型垂直构造LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散构造、通孔反射构造、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层;个中,防扩散构造用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射构造与通孔反射构造形成合金或渗透到通孔反射构造的表面,而影响通孔反射构造的反射效果及产品的稳定性,可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性,进而提升通孔型垂直构造LED芯片的亮度及可靠性,其工艺制作大略、便捷,便于生产化。
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