成都华微申请一种低压低功耗型欠压保护电路解决传统 UVLO 电路占用疆土面历年夜及功耗大年夜问题_栅极_过年夜

专利择要显示，一种低压低功耗型欠压保护电路，涉及集成电路技能领域，其构造为：第一 PMOS 管源级接电源 VDD、栅极接其漏级、漏级接第二 PMOS 管源级和第三 PMOS 管源级，第一 PMOS 管栅极还接偏置电流输出端 BIAS；第二 PMOS 管栅极接 GND、漏级接第三 PMOS 管漏级形成第一参考点 A；第一参考点 A 通过第一电阻接地；第一反相器输入端接第一参考点 A；第二反相器输入端接第一反相器输出端及第三 PMOS 管栅极，第二反相器输出端接欠压锁定旗子暗记端 UVLO。
本发明办理了传统 UVLO 电路占用版图面积过大以及功耗过大的问题，在不该用基准参考电压、比较器等模块的情形下实现 UVLO 的功能。

本文源自金融界