半桥驱动电路：IR2181s_栅极_暗记

一、序言

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  近期须要设计一个功率半桥电路，准备利用刚刚购买到的 IR2181s芯片驱动MOS管半桥，下面搭建一个大略的电路进行测试，为后面运用电路设计打下根本。

二、电路设计

  设计测试电路板，个中包括有单片机G030，利用 IR2181驱动两个功率MOS管。
下面利用 1117供应单片机的 3.3V的事情电源。
铺设单面电路板，一分钟之后得到测试电路板。
电路板制作的非常完美。
接下来焊接测试。

▲ 图1.2.1 实验事理图

▲ 图1.2.2 实验PCB

三、焊接测试

  焊接电路板，洗濯之后，用于下面的测试。
为了测试 IR2181的功能，两个功率MOS管先不焊接。

  通过弹簧夹子，将 DAP LINK 接入电路。
利用 CubeMX 天生一个程序框架，编写一个 LED 闪烁测试程序。
下载之后，可以看到电路开始运行。
这解释电路设计和焊接基本正常了。
下面测试输出的PWM旗子暗记。

  通过软件，开启 TIME1 互补PWM输出。
利用示波器丈量 TIME1 PWM两路输出旗子暗记，可以看到输出的PWM旗子暗记，它们之间是反向的。

▲ 图1.3.1 两路输出的PWM 旗子暗记

  将 两个 N沟道的 MOS 功率管焊接到电路板。
不雅观察两路MOS管的栅极电压。
可以把稳到它们之间是反向的。
黄色波形是上面MOS管栅极电压，青色波形是下面MOS栅极电压。
可以看到上面MOS管的栅极电压的幅值是下面MOS管电压的两倍。
这里须要解释的是，MOS 管的事情电压与 IR2181 的驱动电压都是 12V。
以是，在这种情形下，上面MOS管的栅极驱动电压就基本上达到了 24V旁边了。
从丈量结果来看，IR2181s 的功能与 之前 IR2104s 驱动芯片的功能是同等的。
不过这种丈量方法，可能会带来问题，比如寄生的电感，使得旗子暗记涌现高下抖动。
这可以通过在栅极输入增加10欧姆电阻来办理。

▲ 利用探针丈量MOS管栅极电压旗子暗记

  设置PWM输出旗子暗记之间的去世区，去世区常数为 20，对应大约 33ns。
可以看到 下管栅极电压比上管掉队了 33ns旁边，波形震荡也减小了。
上升沿也是这样。
此时不雅观察到 电路的事情电流略微减少了。
比起没有去世区的时候，大约减少了 2mA。
现在显示的是没有去世区的高下MOS管栅极电压波形。
此时存在一定高下管同时导通对应的泄电流。

  本文测试了MOS管半桥驱动电路 IR2181s，它有两路输入，高低两路输出。
这样可以在单片机PWM模块中设定得当的去世区韶光，担保高下MOS管能够避免直通。
后面根据这些初步测试结果设计半桥功率电路。