于是很多网友表示，国产芯片究竟发展到哪一步了，为何美国不断的打压，难道我们的技能，真的差那么远么？
本日就给大家聊一聊，国产芯片究竟发展到哪一步了。
芯片目前分为三个紧张环节，分别是设计、制程、封测这。
设计水平，目前海内与环球水平是同等的，那便是达到了3nm，这个估计大家不会疑惑，毕竟之前华为麒麟芯片，与高通、苹果芯片是同步的。
去年上半年三星量产3nm芯片时，首批客户便是海内的矿机厂，以是3nm芯片，我们去年就能够设计出来了，设计这一块，我们不掉队。
但是，要把稳的是，设计芯片，须要指令集、EDA、IP核等，这一块海内相对是较掉队的，海内的芯片，大多利用ARM指令集，美国的EDA，还有ARM的IP核等，这一块差距相称大。
制造这一块，对外公开的数据是中芯已经实现了14nm工芯的量产，而梁孟松曾表示，已完成7nm工艺的研发任务，就等EUV光刻机到货了。
但是大家特殊要把稳在制造这一块，实现14nm芯片的量产，是基于ASML的光刻机，美国的一些半导体设备，日本的一些半导体材料才行的。
如果采取国产设备、国产材料，目前的真实技能，连28nm都实现不了，由于国产光刻机才达到90nm，还有一些设备，最多也便是28nm。
在材料方面，像光刻胶，国产才刚实现ArF光刻胶，也便是65nm旁边，可以说制造水平假如考虑国产化，最多在65nm，乃至还在90nm。
末了说说封测这一块，封测这一块，门槛相对最低，去年的时候，天水华天、通富微电、长电科技就表示，已经实现了3nm芯片的封测。
而今年年初，像长电科技、通富微电均表示，实现了4nm的Chiplet芯片的封测，而封测设备，并不那么难，可以说海内封测水平，与国际水平基本也是同等的。
可见，与环球水平比较，我们差的是EDA、指令集、IP核等，还有光刻机等设备、光刻胶等材料，并且差距相称相称大，比如光刻机要仅90nm，光刻胶仅65nm。
这也是为何美国不断打压的缘故原由，由于只要卡住光刻机，就卡住了所有，我们有再牛的芯片设计水平、封测水平，但只要制造不出来，统统就都是假的。
