国外机构拆解长江存储128层TLC闪存芯片认为技能已赶上业内领跑者_长江_闪存

近日，Tech Insights对Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基于PCIe 4.0标准）进行了拆解和剖析，这款产品是长江存储128层堆叠3D NAND闪存的首次商业运用。

长江存储的128层堆叠产品采取的Xtacking架构已经全面升级至2.0，可进一步开释3D闪存的潜能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技能，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。
目前长江存储的Xtacking 2.0架构用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。

拆解的AN4 1TB SSD采取了长江存储128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，比较Xtacking 1.0架构的芯片（256Gb）提高了92%。
长江存储Xtacking稠浊键合技能利用了两片晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。
其单元构造是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存在构造上的工艺相同。

与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128层堆叠512Gb 3D TLC NAND闪存产品比较，长江存储的裸片尺寸更小，这使得它拥有最高的密度。
Tech Insights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速率方面都足以与其他产品竞争，技能上已遇上其他领跑者。