详细而言，EUV制程采取波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面、利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV，蚀刻的各向异性明显改进，对付精确度哀求较高的集成电路，EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。
目前，在前辈的7nm芯片（如手机处理器）制造方面，台积电、三星已经启动EUV光刻机设备，英特尔估量2021年量产7nm制程并导入EUV技能。而随着制程连续向5nm或3nm演进，晶圆代工厂对EUV的需求会越来越大，EUV设备将成为不可或缺的选择。
DRAM内存导入EUV设备，是由于工艺制程演进的难度，同样涌如今DRAM存储芯片制造上。目前环球三大DRAM芯片巨子——三星、美光和海力士都将工艺制程开进10nm级别，此10nm级别并非便是10nm，它又分为三个等级，个中1xnm对应16nm-19nm制程，1ynm对应14nm-16nm制程，1znm对应12nm-14nm制程，在这之后还会有1α及1β纳米制程节点。制程的微缩逐渐成为DRAM原厂的发展瓶颈。
一年前，美光明确表态短时不会采取EUV设备制造DRAM，它不认为EUV 光刻机在DRAM芯片的制造环节上是必须的，乃至未来发展到1Z nm以下的1α和1β工艺技能，可能都不须要EUV光刻机。加上EUV价格昂贵（1亿美金以上），及去年DRAM价格正处于飞腾的甜蜜期，美光做此判断乃情理之中。但今年迫于市场压力不得不改变此策略。
据多家调研机构的数据显示，2019年上半年，受市场供需影响，消费类NAND Flash闪存价格下滑了30%，DRAM内存价格也是一起下跌，虽然原厂操持减产救市，但短期仍不见止跌旗子暗记。
能坚持获利的方法只能是微缩制程，降落本钱。由于DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度越来越高（三星18 nm工艺技能被传出因良率过低导致的瑕疵品引发客户赔偿的），目前采取EUV设备提升量产能力，降落DRAM的生产本钱，成为最为紧迫的办法。
据韩媒宣布，三星将在2019年11月开始量产采取EUV 技能的1z 纳米DRAM。量产初期将在华城17产线，不过由于与晶圆代工奇迹部共享EUV设备，以是初期利用量不大，之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产；美光操持2019年底在日本广岛B2新工厂量产1znm LPDDR4；SK海力士也故意以EUV制程生产DRAM。可以判断，在1α纳米或1β纳米世代，EUV将开始全面导入。
EUV时期，ASML获利最大
在DUV（深紫外光）时期，光刻机市场紧张被荷兰ASML、日本索尼和尼康三巨子霸占，但到了EUV时期，只有ASML一家能供应成熟的设备，在市场占比方面碾压尼康和索尼。目前，ASML大约霸占光刻机70%的市场份额。
就在今年4月，ASML发布首季财报，第一季发卖净额为22亿欧元，净收入3.55亿欧元，毛利率41.6%。古迹发展迅速。公司透露已看到逻辑芯片的技能节点快速转换中，量产型极紫外光（EUV）系统 NXE 3400C 除了导入逻辑客户端之外，也将推进到 DRAM 内存家当。
我们知道，光刻机竞争格局一贯是荷兰ASML、日本Nikon和Canon三分天下，然而，竞争格局分水岭涌如今193nm光刻技能成为市场主流之后，ASML逐渐后来居上。同时，英特尔、台积电和三星入股ASML更加夯实了其龙头地位。
2012年英特尔25.38亿欧元购买了ASML 15%的股权，台积电8.38亿欧元购买了ASML 5%的股权，三星5.03亿欧元购买了ASML 3%的股权。除此，三巨子还给出高额资金助力技能研发。
有了三大巨子的助力，ASM在2012年推出了试验型EUV光刻设备NXE 3100，后续又推出了量产型NEX 3300B，2014年推出了NXE 3350B，目前，已经推出新一代量产型的NXE 3400B和NXE 3400C EUV设备。
在7nm工艺量产关键节点，ASML的NXE 3400B EUV光刻机成为了台积电、三星实现量产操持的关键。ASML曾表示，2017年下半到2018年初，EUV光刻机每小时晶圆吞吐量约125片，而ASML新一代EUV光刻机（NXE 3400C），芯片吞吐量可达到每小时170片水准，这将使产能增加36%。
更有显示，ASML操持在2019年出货30台EUV光刻机，同时正准备将NXE 3400C EUV光刻机推广到DRAM家当，而这正好与DRAM原厂导入EUV的想法不谋而合。
工艺制程微缩的寻衅尚存，DRAM在1znm涌现的良率瑕疵问题，EUV能否帮助全部办理？我们拭目以待。
