那么光源作为光刻机的核心部件之一，随着人类科技的不断进步，其波长也在不断缩小。从436nm、365nm的近紫外光，到248nm、193nm的深紫外光，也便是DUV光刻机利用的光源，发展到现在，最前辈的EUV光刻机采取的已经是13.5nm极紫外光。通过图片我们能更清晰地看到光刻机光源的发展路径。
华为的麒麟9000，是当现代界上性能最强的手机芯片之一，它采取的是5nm工艺，必须利用EUV光刻机制造，以是才被美国去世去世地限定着，由于EUV光刻机有美国技能，台积电没办法利用EUV光刻机给华为代工这款芯片，这也造成了华为手机目前碰着的发展困局。
以是，如果我们能自己搞定EUV光刻机，那么就不用再畏惧任何的封锁和限定。可是EUV光刻机作为天下上最前辈的一种设备，集成了人类在各个科技领域里最前辈的技能，繁芜程度弗成思议，我们想要在短韶光内造出EUV光刻机是不现实的。
在光刻机光源方面，我国目前的情形是，科益虹源在2018年就已经生产出193nm准分子激光器，也便是DUV光刻机的光源，目前已经实现了60w输出功率，这极大的推动了我国实现国产DUV光刻机的速率，也便是即将交付。
现如今，又有好传来。据有名大V爆料，我国已经搞定了13.5nm光源，如果是真的，那就意味着，我国已经打破了EUV光刻机光源这个核心部件，真的是一个天算夜的好。
其余，在6月2日的2021浦江创新论坛·科技创新青年峰会上，来自中科院上海光学所的野外研究员就公开表示，目前我们国家做光刻的主力军在光刻光源上，正在努力占领从准分子的波段推进到13.5纳米波段，也便是DUV光源的193nm深紫外光，推进到EUV光刻机的13.5nm极紫外光。以是，这也从另一个侧面印证，已经实现13.5nm光源的极有可能是真的。总之，非常振奋民气。
当然，不论当下我们取得什么样的技能打破，正如我刚才说讲的，离造出EUV光刻机还有很远的路要走。眼下最关键的实在是可以实现28nm工艺的DUV光刻机，如果能做到国产DUV光刻机量产，那么将对我们的科技发展供应坚实的根本。
由于28nm工艺，是当下半导体领域性能和本钱非常精良的工艺制程。实在除了手机芯片，基本上都不须要5nm这种级别的工艺，由于手机的尺寸较小，在有限的空间内想要实现更多的性能，就必须减低制程工艺。而在其他的领域，完备无需做这种考虑，例如电脑、汽车、飞机、火箭、卫星，芯片做得大一点是没有关系的，晶体管不足，扩大面积多放就行。以是28nm绝对可以知足绝大部分的需求，或者22nm、14nm，都是非常够用的工艺水平。并且DUV光刻机经由多次曝光，还可以实现7nm制程，以是28纳米工艺或者说DUV光刻机对付我国来说，早当下是具有计策意义的。
不过关于这点，这2天又突发一个坏，也是我们要讲的第二件事儿。之前我的视频里讲过，台积电要把28nm产能搬到大陆，或者在大陆扩建28nm产能。那么根据干系媒体的爆料，台积电、联华电子操持在大陆扩大28纳米产能一事儿，没能得到美国的供应容许。我看到这个的时候，真的是非常朝气，这是要赶尽杀绝啊。在半导体领域，美国正在全方位限定我国。
不过除了技能上的封锁以外，我们还要承受来自ASML的压力，在爆出我国即将交付国产DUV光刻机的之后，EUV便放出口风，中国可以不限定购买EUV的DUV光刻机，以是中芯国际也终于向asml下了12亿美元的订单。然而，近期又传出，EUV的DUV光刻机开始搞贬价匆匆销，此举也被很多人认为是EUV故意打压国产DUV光刻机。
总之，不论是限定大陆28nm产能，还是打压国产DUV光刻机的发展，对付环球芯片严重短缺的局势来说，都是没有任何益处的，受到到丢失的只有各个领域的企业，以及终极由消费者买单。并且，这些行为也没有办法阻挡中国半导体国产化的进程，延缓速率也只是暂时的。
ASML的CEO就曾公开表示，不把EUV光刻机卖给中国，那么中国会在三年后节制这个技能。虽然这个辞吐可能有些夸年夜，或者是烟雾弹，或者是故意说给美国听的，但也能够感想熏染出来，EUV自身对付中国自研光刻机的担心。由于在浩瀚限定封锁中国的领域中，无一例外，全部被我国打破，并且终极将各种技能设备变成了白菜价。未来，EUV或许也会面临这样的局势，你说能不害怕吗？
实在我刚才说的2点，是有些抵牾的，一个是被许可购买asml的DUV光刻机，另一个是溘然开始限定28nm工艺，这是为什么呢？从韶光维度上看，许可DUV光刻机在先，限定28nm在后。其余还有一个问题，那便是美国为何溘然限定28nm，为什么溘然变卦，想必一定有其背后的缘故原由。
说到这，我要分享另一个振奋民气的了，也是本日视频的第三件事儿。近日，中国电子信息家当发展研究院，电子信息研究所所长温晓君，在接管媒体采访的时候表示，国产14nm芯片明年年底就可以实现量产。浩瀚技能打破覆盖了国产半导体家当链，例如刻蚀机、薄膜沉积等关键装备实现打破和量产，14纳米工艺研发取得打破，后道封装集成技能实现量产，抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考察进入批量发卖。这个意味着，国产DUV光刻机明年一定能够交付利用，并且开始量产芯片。以是美国极可能是由于这点才临时反悔，把原来不在限定范围内的28nm，列入限定名单。
实在有很多人瞧不起14nm，认为太掉队。的确从工艺水平上，14nm掉队很多。但是从市场需求的角度来看，便是另一回事了。根据干系统计数据显示，2020年，利用14nm及以上工艺的芯片占环球芯片的82%旁边。
以是，我们先搞定国产DUV光刻机，然后搞定28nm、14nm、12nm、10nm工艺量产，然后7nm工艺量产，先知足国产半导体供应链的发展和壮大，抢占环球中低端芯片市场，然后持续科研攻关、加大投入，争取尽快占领EUV光刻机。
当然，在某些人眼里，中国永久无法造出EUV光刻机。我想说的是，别忘了，不论它有多前辈，都是人造的，不是神造的，中国人或许还没有能力造出太阳、地球和玉轮，但最前辈的光刻机中国一定能造的出来。
万米深海我们去了，玉轮我们去了，火星我们也去了，空间站我们建好了，还有什么是中国人做不到的呢？
既然，我国基本上在很长的一段韶光内，都无法从ASML得到EUV光刻机，那么只有自研这一条路了。当一个个核心技能被占领的时候，也意味着我们离终极的胜利又近了一步。如果有人问我，到底什么时候能造出EUV光刻机，我个人以为快点的话5年旁边，慢的话7-8年绝对可以搞定。当然，这个不雅观点会有很多人不同意。不管若何，咱们都要给国产半导体不断地加油打气，同时也让我们拭目以待，等待几年，我们再看。
