关于几纳米观点的思考，相信轻微关注一点科技的朋友都或多或少听说过芯片制程几纳米的观点。首先从制程这个词来看这是一种湾湾的惯用说法，这种被湾湾们吹上天的高科技实在便是制造工艺水平而已，最紧张的差异表示在芯片里晶体管尺寸大小上。
湾湾们开口闭口提到的台积电3纳米制程实在是指用该工艺制造出来的芯片晶体管尺寸是3纳米，而相对应的7纳米制程所制造出来的芯片晶体管尺寸为7纳米。由于一个芯片里面都是有晶体管和线路组成，更小尺寸的晶体管意味着可以提高芯片晶体管的密度，理论上也会降落芯片的能耗。
把稳这里说的是理论上后面会阐明，3纳米芯片每平方毫米的晶体管数量可以超过3500万个，而7纳米芯片约为1500万个，可以容纳更多的晶体管，意味着在相同芯片设计水平下芯片的性能和功能可以提升。以是并非制造工艺水平就决定了芯片是否更加前辈功能是否更加领先，而决定这些的紧张缘故原由还是在芯片的设计水平上，否则湾湾和棒子的芯片制造工艺是全天下最厉害的，但彷佛没有什么出色的3纳米芯片能拿得脱手的，说白了也便是代工厂技能好一些而已。
晶体管尺寸对芯片的电性能和可靠性的影响。说到这里不得不提一下芯片的材料，一样平常我们谈及高工艺水平的制程时都是硅基芯片，而这种材料随着晶体管尺寸的缩小其电性能是会受到限定的，比如随意马虎涌现位移电流和泄电流。此外制造晶体管时须要用到院子沉积技能等微电子加工技能受到限定，这些也会导致芯片电性能低落还有发热问题。
以上这些各类限定都会影响芯片的可靠性，以是用上了3纳米芯片的最新款苹果手机就存在时常黑屏去世机、发热严重且发热时性能低落等问题。由于随意马虎涌现泄电发热等情形，芯片的能耗就不能表示出3纳米工艺带来的降落能效浸染。
当我们对芯片的可靠性哀求很高的时候，比如用于航空航天活动的芯片、用于汽车自动驾驶运算的芯片就不能用高工艺水平制程进行生产，只有在追求小巧轻薄的手机上才有所谓3纳米芯片的需求。实在由于电性能不稳定和发热问题也根本发挥不了3纳米芯片的性能。所谓3纳米芯片的宣扬噱头远远大于实际提升的性能，通过软件和算法优化所带来的性能提升效果比较之下更好。千万别被湾湾和西方媒体带偏了，去追求所谓的高性能芯片完备没有必要。
