布线哀求
数据旗子暗记组：以地平面为参考，给旗子暗记回路供应完全的地平面。特色阻抗掌握在50～60 Ω。线宽哀求参考履行细则。与其他非DDR旗子暗记间距至少隔离20 mil。长度匹配按字节通道为单位进行设置，每字节通道内数据旗子暗记DQ、数据选通DQS和数据屏蔽旗子暗记DM长度差应掌握在±25 mil内(非常主要)，不同字节通道的旗子暗记长度差应掌握在1000 mil内。与相匹配的DM和DQS串联匹配电阻RS值为0～33 Ω，并联匹配终端电阻RT值为25～68Ω。如果利用电阻排的办法匹配，则数据电阻排内不应有其他DDR旗子暗记。
地址和命令旗子暗记组：保持完全的地和电源平面。特色阻抗掌握在50～60 Ω。旗子暗记线宽参考详细设计履行细则。旗子暗记组与其他非DDR旗子暗记间距至少保持在20 mil以上。组内旗子暗记该当与DDR时钟线长度匹配，差距至少掌握在25 mil内。串联匹配电阻RS值为O～33 Ω，并联匹配电阻RT值该当在25～68 Ω。本组内的旗子暗记不要和数据旗子暗记组在同一个电阻排内。
掌握旗子暗记组：掌握旗子暗记组的旗子暗记最少，只有时钟使能和片选两种旗子暗记。仍须要有一个完全的地平面和电源平面作参考。串联匹配电阻RS值为0～33 Ω，并联匹配终端电阻RT值为25～68 Ω。为了防止串扰，本组内旗子暗记同样也不能和数据旗子暗记在同一个电阻排内。
走线办法：对付一驱多的DDR走线办法有菊花链，星型走线（T型走线），下图是地址线从CPU芯片一驱2个DDR
下图是从CPU到两颗DDR地址走线采取星型拓扑，从芯片到两颗DDR的地址走线长度一样。
绕等长哀求
先确认以下几点：
1、DDR的线有没有布完，检讨是否有漏线
2、旗子暗记线是否有优化好，间距规则有没有设并已清完干系DRC
3、DDR布线是否知足哀求，犹如组走同层，线宽是否精确
4、绕线时须要把稳你所做的部分对周边布局布线是否造成影响
5、是否明确绕线规则，如几倍线宽或间距进行绕线与线与线之间的相互约束关系
6、对付中间有串阻的颗粒DDR，明确前后两端是否有旗子暗记线长度限定哀求
7、参考平面是否确认，把稳等永劫不要跨参考平面布线
8、对付DIMM DDR的绕线策略为：先做Address的等长，再往两边扩展做data的等长
9、在组内绕线时一定要找出组内最长的旗子暗记线，并尽可能缩短，再以其为基准进行绕线
10、绕等永劫要确认同组线与线之间的间距哀求，高速的DDR哀求3W间距
绕线的办法
一样平常推举这种（绕线的一端不对着自身旗子暗记）
以下几种布线较差不推举：
以上便是DDR布线哀求及绕等长哀求，下期预报：高速旗子暗记PCB设计知识。请同学们持续关注【快点儿PCB学院】"大众年夜众号。
