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专利择要显示,本发明属于封装基板制作技能领域,特殊是涉及一种功率芯片埋入式的封装基板及封装方法。一种功率芯片埋入式的封装基板的封装方法包括如下步骤:获取第一芯板,在第一芯板上开设沿厚度方向贯穿的通槽;将裸芯片固定在刚性衬底上;将裸芯片和刚性衬底整体嵌入到第一芯板的通槽中;在第一芯板上压合绝缘层,绝缘层覆盖通槽内的裸芯片;在绝缘层上形成第一外连金属层;从第一外连金属层的表面加工多个盲孔,盲孔实现裸芯片和刚性衬底与所述第一外连金属层三维垂直互联,使得裸芯片直接通过盲孔扇出旗子暗记,减小旗子暗记传输路径,降落传输损耗。裸芯片封装在第一芯板内,为第一芯板表面开释空间,能够贴装更多电子元器件,减小封装体的占用空间。
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