西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片：拥有业界最高密度_闪存_竞争敌手

据TomsHardware宣布，西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据，称与竞争对手的闪存产品比较，功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。
一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成，这意味着存储厂商利用16个新款闪存芯片堆叠，就能在单个封装中供应4TB。
如果能够实现大批量生产，那么足以重新定义大容量SSD的本钱。

西部数据实行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示，很高兴与大家分享这款芯片，设计的初衷是为了知够数据中央和人工智能（AI）存储的需求，西部数据将很快宣告这款产品，与大家分享天下上容量最大的内存芯片。

根据西部数据的说法，BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手赶过15~19%，I/O接口速率比竞争对手快了50%，同时每GB数据所须要的程序能效比竞争对手低了13%。
西部数据还先容了制造方法，采取的是CBA（CMOS directly Bonded to Array）技能，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起，有点类似于长江存储的Xtacking架构。