相信关注科技资讯的朋友前些天都听到过这样一个“恶搞”、令人哭笑不得的新闻：法国著名科学家艾蒂安·克莱因声称，图一是詹姆斯·韦伯太空望远镜所拍摄的离太阳最近的恒星比邻星的照片，当时震荡了全天下，不过终极谎话被戳穿，这只是一片西班牙喷鼻香肠的图片。
为什么
大家都知道，目前台积电和三星方面均流传宣传3纳米芯片制造工艺已经成熟，可以商用了，但是按照老例它们仍会对3纳米工艺进行打磨，推出3纳米改进型工艺，另一方面也意味着，它们将开始重点进军、冲刺下一个工艺节点，那便是2纳米。
提起芯片制造，很多朋友就会想起光刻机，潜意识里认为有光刻机就能搞定统统，实在不是这样的，芯片制造是一个非常繁芜的过程，涉及方方面面。
这个过程有点类似于烘烤，必须将各种材料身分稠浊在一起加热，通过其它步骤产生所需的电流。比如，须要将磷添加到硅中，然后对稠浊物进行退火或加热处理，以将磷原子定位到精确的位置，从而使它们在电流传导中处于生动状态。
但是芯片制程越前辈，硅就必须掺杂更高浓度的磷，以产生符合须要的电流，以担保准确和稳定的电流传输。生产3纳米以上的芯片，目前所采取的传统的退火方法没有问题，但是制程提升到3纳米往后，现有的方法就已经不能知足须要了。
台积电此前曾推测，微波可用于退火（加热）过程，可以达到增加磷的掺杂浓度的目的，但是，以前的微波加热源每每会产生驻波，加热的同等性效果非常差，普通点说便是加热不屈均。
对此，美国康奈尔大学和台积电方面展开互助，开始研究改进微波退火技能，他们的思路比较特殊，没有采取大家想象中的各种高大上的技能，而是利用改进的家用微波炉，可以使芯片制造商用来打破以前的磷浓度限定。
——是的，你没有看错，便是通过“家用微波炉”，这便是
上个星期，该大学揭橥一篇题为《通过微波退火对超过其溶解度极限的磷掺杂纳米片硅进行高效稳定活化》的论文（图三），总结了最新的研究成果，表示他们已经研究出了前辈的微波退火方法，“战胜了高于溶解度的高而稳定掺杂的基本寻衅”。
这种退火技能对最新的纳米片晶体管技能支持良好，该论文第一作者、材料科学与工程系研究教授 James Hwang表示 ：“这种新的微波方法有可能使台积电和三星等芯片制造商将制造工艺提升到2纳米。”
目前，这项研究仍旧在连续完善，并且已经得到了进一步的研究资金。当然，这只是办理了2纳米芯片制造过程中所面临的困难中的一个，2纳米芯片制造工艺离打破，真正成熟可商用量产的地步，还为时尚早。
