对付初学设计硬件电路的同学来说，EMI、EMC、EFT及ESD是什么？基本是不清楚的，但脑海里有一些比较模糊的观点，本日我们就来梳理下详细的内容，为事情或工程中碰着的问题打下理论根本。
在理解四者的观点之前，我们一定要先理解国际电工委员会制订的干系的国际标准：
（1）IEC 61000-4-2, 这个标准定义了ESD是静电放电（Electrostatic Discharge，ESD），而这个标准规定了静电放电抗扰度测试内容。
（2）IEC 61000-4-4，这个标准定义了EFT是电气快速瞬变（Electrical Fast Transient,EFT）,这个标准规定了电气快速瞬变突发抗扰度测试。
（3）IEC 61000-4-5，这个标准定义了电磁滋扰（Electromagnetic interference，EMI）和电磁兼容性（Electromagnetic Compatibility，EMC）雷击/浪涌抗扰度测试。
01 ESD
静电放电（ESD）测试有不同的电压哀求，一样平常的MCU、数字IC都够担保知足2kV人体模型（Human Body Model，HBM），但是对付与IC之间远间隔连接的外部设备，如USB设备、以太网设备、LCD设备、通信设备来说，具有更高的哀求等级。IEC 61000-4-2电压严重性测试级别有四级，打仗放电2kV、4kV、6kV、8kV，空气放电2kV、4kV、8kV、15kV。引起静电放电的的成分紧张是环境成分，器件事情周围处在高压电场范围内、人体打仗、空气电离等。
ESD有效的抑制手段有：
（1）瞬态电压抑制器
（2）PCB有效设计
（3）铁氧体磁珠
（4）RC、LC和C滤波器
02 EFT
电气快速瞬变（EFT）涌现的成分有：
电源溘然中断引起感性负载瞬变突发互换线路断路器打开或断开引起的电火花雷击电弧开关电源高开关电流回路大EFT对硬件电路的以下模块产生较大影响：
电源、接地旗子暗记复位旗子暗记边沿敏感出发旗子暗记高阻态旗子暗记仿照旗子暗记外部通信旗子暗记CPURAMEFT的抑制手段：
（1） 电源抑制器：金属氧化物变阻器（Metal Oxide Varistor，MOV）
（2）共模扼流器
（3）铁氧体磁珠
（4）PCB 设计
（5）电容滤波器
（6）双绞线电源线
（7）瞬态电压抑制器（TVS）
03 EMI/EMC
电磁滋扰（EMI）一样平常是内部或外部源产生的滋扰，通过电磁感应、静电耦合、传导来影响器件设备的正常事情。电磁兼容涉及电磁能的产生、传播、吸收，将会对事情电路引起电磁滋扰正常事情。
辐射引起电磁滋扰来源于电线、变压器、电感辐射的磁场雷击引起的电磁浪涌高速旗子暗记反射高速时钟传导，传输旗子暗记时，传导路径引起的传导发射，如电缆线之间。
因此，在硬件电路设计中须要考虑这些成分使自己的电路完美的事情。
