晶圆为什么要减薄？
减薄后的芯片的体积更小，可以适应更薄的封装设计。更小的体积在智好手机、平板电脑、智好手表等设备中可以减少整体厚度和重量。
在3D IC封装中，可以在有限的空间内通过垂直堆叠更多层次的减薄芯片，从而实现更高的功能密度。
减薄后的晶圆具有更短的热扩散路径和较高的表面积与体积比，有助于将芯片运行时产生的热量更快，更有效地通报出去。如果芯片太厚，热量在通报过程中会在芯片内部积聚，导致局部过热，影响器件性能。
晶圆能减到多薄？
晶圆减薄的极限厚度与晶圆的材质和尺寸有密切关系。
较大的晶圆在减薄过程中更随意马虎分裂。尺寸越大，减薄越困难。
而晶圆的材质多种多样，一样平常有Si，GaAs，GaN，InP，LN,LT，玻璃，蓝宝石，陶瓷等。LN,LT，GaAs，GaN等相对硅来说更脆，因此减薄的极限厚度更大些。以硅为例，日本Disco公司创始的TAIKO工艺，能够将12寸硅片减薄到50um旁边。
四种晶圆减薄方法先容？
机器磨削（Grinding）
Grinding完备通过物理摩擦力去除晶圆表面的材料。磨削常日利用含有金刚石颗粒的砂轮，在高速旋转时打仗晶圆表面，并用纯水作为冷却液和润滑剂，以达到减薄的目的。
化学机器研磨（cmp）
cmp是一种结合了化学反应和机器研磨的技能。在CMP过程中，研磨液与要抛光的材料先发生轻微化学反应，软化晶圆表面，再用机器研磨去除软化的材料，达到全局平坦化的目的。相对付Grinding，cmp的本钱更昂贵。
湿法刻蚀
利用液态化学药剂来去除晶圆表面的材料。
干法刻蚀
利用等离子体产生的活性基团来去除晶圆表面的材料。
四种晶圆减薄方法的比较？
Grinding
优点：快速去除大量材料，适宜于初步减薄。缺陷：可能导致表面损伤和应力，常日须要后续工艺来改进表面质量。CMP优点：可实现极高的表面光洁度和平整度，适用于哀求高精度的运用。
缺陷：本钱较高，过程掌握繁芜。
湿法蚀刻
优点：本钱低，设备大略，操作随意马虎。
缺陷：蚀刻不足均匀，难以掌握蚀刻深度和剖面，减薄后表面粗糙。
干法蚀刻
缺陷：本钱高，工艺繁芜，减薄后表面粗糙。
晶圆减薄的工艺难点在哪里？
精确掌握减薄厚度较难：晶圆的均匀厚度对付担保整批晶圆中的器件具有同等性至关主要。如果采取刻蚀的方法进行减薄，晶圆厚度的均匀性将得不到保障。掌握表面质量较难：减薄过程中常常会产生表面粗糙度过大、微裂纹，颗粒等其他表面毛病。应力掌握较难：减薄过程中会引入热应力和机器应力，这些应力会导致晶圆波折、变形或产生内部毛病等。
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