DutyCycle是什么？
常日在做开关电源设计时，比如Buck降压电路，输入电压和输出电压与占空比的关系如下：
这个D便是DutyCycle，便是占空比的意思，上MOSFET开启韶光与开关周期的比例，占空比越高，输入输出电压差别就越小。
100%的占空比有什么用？
如果占空比为100%，也就意味着开关一贯导通。输出电压就一贯即是输入电压，当输入电压低落，输出电压也低落，虽然输出电压低落了，但是电压稳定的。
在很多场合，对付输出电压不用直接给芯片供电，输出电压往低落的很多，可以低于输出电压的场合，都须要这种运用。可以大大扩到芯片输入电压范围。
BUCK电路无法做到DutyCycle 100%的缘故原由
如下图，是一个Buck拓扑开关电源的大致构造，事理我就不细说了，我们重点说一下与DutyCycle干系的部分。
如上图所示，有个紫色部分，有一个Cboost电容，一端与phase端连接，一端与Boost管脚连接，给内部的上MOSFET的driver供电。Cboost电容，上面还有个Vint，一样平常是芯片内部产生的电源，常日在3.3~5V旁边。其事情事理如下：
当下MOSFET导通，Phase端电压低落到0V，Vint通过二极管对Cboost进行充电，假声充电够快，Cboost的电压很快就会充到靠近Vint。
然后当下MOSFET关闭,轮到上MOSFET开启，此时，Phase端电压还是0,上MOSFET的driver利用Vint的驱动电压驱动上MOSFET的G极，打开上MOSFET，当打开上MOSFET时，phase端电压就升高到Vin，如果driver的驱动电压还是Vint，很可能Vint还小于Vin，就无法位置上MSOFET的开启，这时，这个Cboost电容就起浸染了，当phase端电压上升，由于电容上的电压不能突变，phase与boost之间有个Cboost电容，这样phase端电压上升就自动的将Boost点电压抬高，始终赶过Cboost的电压。
以是由于Boost电容的存在，不管Vin电压怎么变革，上MOSFET的GS之间的驱动电压始终约Vint附近，这样就能坚持上MOSFET的开启。不过导通韶光变长，Cboost电压会降落。各点电压如下图所示：
从上面剖析可以看出，由于导通韶光变长，Cboost电压会降落，当Cboost存储的电压降落到无法驱动上MOSFET开启时，就会有问题。以是必须要再次关闭上MOSFET，再对Cboost进行充电。
这样就导致开关电源的DutyCycle无法达到100%，现在很多芯片可以做到让驱动花费的电流只管即便的小，但是只能靠近100%，还是无法做到100%。
如何做到DutyCycle 100%
那为什么有的芯片可以达到呢？实在从上面的构造图可以看出，如果把上面的NMOSFET换成PMOSFET，这样关闭上MOSFET时，利用Vin驱动G极，打开时，用0V电压驱动极，这样这个Boost电容就可以不用了。这样就可以做到上MOSFET持续导通。
但是条件是上MOSFET的Vgs之间电压足够开启PMOSFET，一样平常PMOSFET的开启电压大约是2V以上。以是我们可以看到这种做到100% DutyCycle的芯片，输入电压不能低于2V，保险一点便是2.5V旁边。
如何判断芯片是否支持100% DutyCycle
从上面可以看出，一样平常地，上MOSFET利用NMOSFET的芯片，常日无法做到100%的DutyCycle。而利用PMOSFET作为上MOSFET的芯片，可以做到100% DutyCycle，当然也有其他办法。以是这个也不是必要条件，还有其他方法来做到100%，比如电荷泵。总之，能做到上管持续开启，都是可以的。
直不雅观上看，芯片有个Boost管脚的芯片，无法做到100% DutyCycle，这种电源芯片常日支持的Vin电压较高。
相反的，没有利用Boost管脚的，基本都可以做到100%的DutyCycle，但是由于PMOSFET和NMOSFET之间的差异，PMOSFET的电流利常做不大。支持的电压也是比较低的。
其余，如果支持输入电压很高的高压芯片，一样平常还是利用Boost管脚来升压驱动上MOSFET。
