而与此同时，IT根本举动步伐的不断增长，使得提高内存传输速率的需求不断提升。正如Rambus内存互连芯片业务部门产品营销副总裁 John Eble所说，在三到四个月之前，一些全新发布的做事器CPU进一步提高了其数据传输速率，因此第三代6400 MT/s速率的DDR5势在必行。
IDC内存半导体部门副总裁Soo-Kyoum Kim也表示：“DDR5大幅提升了打算系统的性能。随着数据中央运用更加频繁地哀求越来越高的内存带宽，DDR5生态系统将成为提升下一代数据中央性能提升这一基本需求的关键。”
DDR5的重大改变
DDR至今已经演进至第五代，每一代都有着很多升级。
如图所示，这是RAMBUS公司列举的DDR4与DDR5的不同，包括速率、IO电压、电源管理、通道架构、脉冲串长度以及最大模具密度等。
DDR5 的这些变革引入了许多设计需求，涉及更高的速率和更低的电压，这提出了新一轮的旗子暗记完全性寻衅。设计师将须要确保主板和 DIMM 能够处理更高的旗子暗记速率。在实行系统级仿真时，须要检讨所有 DRAM 位置的旗子暗记完全性。
DDR4 在旗子暗记完全性方面所面临的紧张设计寻衅在于双数据速率 DQ 总线，而对低速命令地址 (CA) 总线的关注较少。而在 DDR5 的设计中，纵然是 CA 总线也会哀求特殊把稳旗子暗记完全性。对付 DDR4，曾考虑过用差分反馈均衡 (DFE) 来改进 DQ 数据通道。而对付 DDR5，连RCD 的 CA 总线吸收器也须要DFE 选项，以确保良好地吸收旗子暗记。
另一个考量是主板上的供电网络 (PDN)，包括带 PMIC 的 DIMM。考虑到更高的时钟和数据速率，须要确保 PDN 能够处理好高速且旗子暗记完全性良好的运行负载，并为 DIMM 供应干净良好的电源。
连接主板和 DIMM 的 DIMM 连接器也必须处理好新的时钟和数据速率。对付系统设计师而言，由于印刷电路板 (PCB) 周围的时钟速率和数据速率更高，系统设计时必须更加重视电磁滋扰和电磁兼容（EMI 和 EMC）。
从DDR5 DIMM事情事理看RCD的主要性
DDR5的DIMM除内存颗粒外，常日还须要包括寄存时钟驱动器 (RCD)、串行存在检测集线器 (SPD Hub) 和温度传感器 (Temperature Sensor)，用来实现RDIMM和NVDIMM的管理与掌握，并且利用SPD集线器还可以支持PC客户真个UDIMM或SODIMM等方案。其余还有一种是LRDIMM，须要额外的DATA Buffer芯片。
在这个中，RCD 是关键的掌握芯片，它将命令/地址旗子暗记和时钟分配给 DIMM 上的 DRAM颗粒。
SPD集线器支持通过 I3C 总线进行系统配置和热管理的主要数据通信，并且有一个集成的温度传感器。
每个DIMM上有两个温度传感器供应精确的热感测，并与 SPD 集线器结合，为内存模块供应三个热遥测点。
如图所示，范例的UDIMM须要一系列芯片组，RAMBUS可以给客户完全的办理方案。
坚持长期投资换来的回报
Rambus公司成立将近30年，一贯专注于内存接口领域的研发。从2016年起就推动DDR5的迭代和发展，并在市场上首个推出了第一代DDR5 RCD、第二代RCD以及如今的第三代RCD，以及其他包括集线器和温度传感器的整体方案，知足客户不同哀求。
John 估量利用DDR5 RCD第三代的系统将在2024年开始出货，并在2025年实现量产。
