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据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，荣获4月9日开幕的中国电子信息展览会（CITE2018）金奖。
这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最靠近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入环球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
国家存储器基地项目是中国集成电路存储芯片家当规模化发展‘零’的打破，对付补充海内主流存储器领域空缺、保障国家信息安全具有主要的计策意义。
该项目位于武汉市东湖新技能开拓区的武汉未来科技城，项目一期方案投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工培植，将培植3座环球单座清洁面积最大的三维NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
个中一号生产及动力厂房已于去年9月提前封顶，年内即将投入利用。
项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，并将带动国产设备等家当链高下游企业迅猛发展。
目前，武汉市东湖新技能开拓区已经聚拢以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家，2017年实现主营业务收入135亿元，专业从业职员近万人。
同时，该区正以武汉天马、武汉华星光电为龙头，推动新型显示领域发展，以华为、遐想 MOTO、小米为龙头，推动智能终端领域发展，目标是在“芯片-显示-终端”核心领域，聚拢一批龙头企业和优质中小企业，形成家当创新发展策源地，打造完百口当生态，形成万亿家当集群。
（图片来自网络侵删）
