什么是金属化？
金属化（Metallization）指在晶圆上形成图形化的金属导电薄膜。芯片制程中常见的金属种类见以前的文章：
常见的芯片金属材料汇总
金属化的浸染？
互连浸染
紧张用于互连不同的电子组件，如晶体管、电阻、电容等。IC是由数亿乃至数十亿的晶体管组成，这些晶体管在硅片上并行事情。但是，如果这些晶体管不能相互导通，那么它们就不能实现指定功能。而这些互连金属电路像是IC的血管，确保电子旗子暗记在不同组件之间的顺利传输。
充当阻挡层
阻挡层的浸染是防止不同金属层间的电子迁移，将不同金属层之间相互隔离，避免物质之间的扩散或渗透等。其余，阻挡层有时也被用作其他材料层之间的粘附层，确保新沉积的材料可以稳定地附着在基底上。
范例的阻挡层材料包括钛、钛氮化物、钛钨化物，钽、钽氮化物等。例如，铝随意马虎与硅发生反应。当铝须要在硅上布线时时，须要在两者之间放置阻挡金属（TiN,TiW）作为樊篱。
保护浸染
金属化层可以作为一个保护层，牢牢地包裹在活泼金属的表面，防止环境中的化学物质、水分或氧气渗入芯片内部，达到防腐的浸染。例如，暴露在空气中的铜会逐渐形成氧化铜层。为了防止这种情形，可以在铜导线上覆盖一层防腐金属，如钯、金或镍。
金属化有哪些办法？
PVD
溅射沉积 (Sputtering)：利用高能离子轰击靶材料，使靶材料的原子或分子溅射并沉积到基片上。
电子束蒸发 (E-beam Evaporation)：利用高能电子束加热金属，使其蒸发并沉积到基片上。
CVD
气态先驱体在晶圆上反应，形成所需的薄膜沉积在晶圆表面。CVD可用于沉积多种金属，如钨、铜、钛等。
紧张办法有：MOCVD，LPCVD，PECVD,ALD等，常见反应式为：
TiCl4+2H2-->Ti+4HCl
WF6+3H2-->W+6HF
电镀
通电，利用电化学事理，在晶圆表面沉积金属，一样平常电镀的镀种为Cu，Ni，Au，Sn等单质及其合金。比如Cu是互联的紧张金属，由于铜无法被干法刻蚀，只能通过双大马士革工艺来进行互联金属的添补。
化学镀
不通电，纯挚利用化学反应在晶圆表面沉积金属，常见的沉积金属为Ni，Pd,Au等单质。
晶圆制程的金属化一样平常只有这几种办法，可以根据设计的哀求与实际需求来选择得当的金属化办法。
原创不易，转载请联系我开白名单，白名单可对文章进行适当修正！
欢迎加入我的知识星球，答疑解惑，资料共享，内容比"大众年夜众号丰富很多很多，先容如下：
欢迎加入作者的芯片知识社区！
