与传统PWM变换器不同，LLC是一种通过掌握开关频率（频率调节）来实现输出电压恒定的谐振电路。LLC架构属于双管半桥谐振，采取谐振电感、励磁电感和谐振电容串联，故名LLC。LLC采取零电压开关（ZVS）软开关技能，具有事情频率高、损耗小、效率高、体积小的优点，可提高充电器功率密度。其谐振操作可实现全负载范围的软开关，减小开关损耗。从而成为高频和高功率密度设计的空想选择，适宜固定电压输出，EMI特性更好。
2024（春季）亚洲充电展，3月20-22日将在深圳举办，届时将有多家快充芯片企业参展，并发布多款新品和参考设计。
充电头网精心统计了参与2024（春季）亚洲充电展的浩瀚快充芯片企业所推出的多款LLC掌握器芯片，并将这些信息汇总整理形成了下表，详细展示了各家企业的主打产品及其封装。
Kiwi Instruments必易微
深圳市必易微电子株式会社（股票代码：688045）是一家高性能仿照及数模稠浊集成电路供应商，主营产品包括 AC-DC、DC-DC、驱动 IC、线性稳压、电池管理、充电管理、放大器、数模转换器、传感器等，为消费电子、工业掌握、网络通讯、数据中央、汽车电子等领域客户供应一站式芯片办理方案和系统集成。
必易微尊重人才、重用人才，不忘科技改进生活的初衷，以客户为中央，坚持“独特创新、易于利用”的公司理念，创新芯领域，引领芯发展，力争成为环球卓越的芯片设计企业。
必易微KP2591必易微 KP2591 是一款基于半桥 LLC 谐振变换器的谐振型开关电源掌握器，集成了半桥驱动，可直接 50% 占空比驱动功率管，其驱动电压钳位至 12V，最高事情频率支持 350kHz。
KP2591集成了高压启动，AC掉电检测以及 X 电容放电功能，内置高精度 VCO 振荡器，最高事情频率达到 350kHz。芯片集成自适应去世区掌握的功能，确保功率开关管零电压开通 (ZVS)，提高了系统效率；同时芯片集成了容性区保护功能以避免桥臂直通和硬开关，提高了系统的可靠性。此外，芯片可通过外部旗子暗记掌握进入低待机模式，降落了系统的待机损耗。
KP2591(A) 集成有完备的保护功能，包括： VDD过压/欠压保护、VBT 欠压保护、AC 过压及输入欠压保护、过载保护、谐振腔过流保护、输出过流保护、容性区保护、SEL 管脚开短路保护，过热保护等，采取SOP-16封装。
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1、进军大功率充电市场，必易微发布LLC掌握器芯片KP2591
展会预报深圳市必易微电子株式会社参加充电头网主理的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B07、B08，3月20-22日欢迎到临展会现场互换、洽谈。
MERAKI茂睿芯茂睿芯科技有限公司是一家致力于高性能仿照和稠浊旗子暗记集成电路设计、研发、发卖与技能做事的公司，由拥有国际一流半导体丰富事情履历的资深专家团队创立，产品紧张定位于高性能电源管理、汽车电子、功率驱动模块、电机驱动及传感器技能等运用，已在通信、工业以及消费类电源领域取得较为卓著的成绩。目前公司在前辈工艺制程上积累了大量知识产权，已得到授权专利27件（发明专利17件，实用新型10件），另得到集成电路布图权42件，具备快速研发及量产仿照和稠浊旗子暗记集成电路能力，茂睿芯于2023年被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。
茂睿芯MK2189系列MK2189/L/D是一款电压模式LLC掌握器，以电压为紧张掌握变量，它可与LLC SR掌握器MK1620/1搭配利用，实现高效率和高可靠性的LLC设计。
MK2189系列通过调节事情频率来得到输出电压的调节。在关断和开启之间固定插入了去世区韶光以提高可靠性。该IC供应了一个引脚（CSS），许可用户从外部编程振荡器的频率。在启动时，切换频率从可编程的最大值开始，逐渐减小，直至达到由掌握回路确定的稳态值。这种频率变革是非线性的，以最小化输出电压过冲，且其持续韶光也是可编程的。
在轻负载下，MK2189/L/D将自动进入猝发模式操作，降落系统设备的开关损耗，可进行噪声抑制。如果一级保护不敷以掌握主电流，更高等别的过电流保护（OCP）将关闭该IC。它们的组合供应了完全的过载和短路保护。其余，还有一个受保护的输入（DIS），可轻松实现过温保护（OTP）或过压保护（OVP）的运用。
MK2189系列具有宽VCC电压范围，最高可达26V，个中MK2189D可调节从250ns到1us的去世区韶光。事情频率高达500KHz，具有0.3A驱动电流和0.8A下拉电流，可知足各种电源需求，采取SOP-16封装，可运用于AC/DC适配器、高功率密度直流/直流变换器、做事器中央、液晶显示器等领域。
展会预报茂睿芯（深圳）科技有限公司参加充电头网主理的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B107、B108，3月20-22日欢迎到临展会现场互换、洽谈。
ST意法半导体意法半导体拥有5万名半导体技能的创造者和创新者，节制半导体供应链和前辈的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名互助伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种寻衅和新机遇，知足天下对可持续发展的更高需求。意法半导体的技能让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主扮装备运用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完备实现碳中和，在范围3内部分实现碳中和)。
意法STNRG011意法半导体推出了一款数字掌握的PFC+LLC二合一掌握器STNRG011，采取SO20封装，比较传统两颗芯片实现的电源方案具有更少的外部器件，更低的空载功耗，更高的轻载效率和动态相应提升。
意法半导体的STNRG011是一颗数字化多模式PFC+ST专利time shift掌握模式的LLC掌握器，内置800V高压启动电路，内置输入电压检测和X电容放电功能，可降落待机功耗。内置的PFC掌握器支持输入电压前馈，THD优化以及频率限定，运行在增强型固定导通韶光模式下的临界模式。
STNRG011内置整套的PFC保护，谐振半桥的韶光方便掌握，支持快速突发模式的增强型轻载突发模式，内置完全的半桥保护功能。可用于开放式电源、平板电视电源、PC电源和适配器运用。
STNRG011采取SO20封装，引脚采取区块化设计，将高压和驱动引脚与采样引脚分开，便于电路优化设计。内置8位数字内核掌握，内置数字算法和硬件仿照电路，实现高性能和高可靠的电源设计。芯片内置ROM存储器用于存储算法，参数可在生产阶段存储在器件存储器中，实现灵巧的功能配置。并支持UART引脚通信，实现监控功能，连接外部存储器或从外部存储器更新内部存储信息。
展会预报意法半导体参加充电头网主理的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B14，3月20-22日欢迎到临展会现场互换、洽谈。
infineon英飞凌在英飞凌，我们在追求业务成功的同时积极承担企业社会任务，以期让生活更加便利、安全和环保。几近隐形的半导体已成为日常生活不可或缺的一部分。我们凭借微电子技能架起现实与数字天下的桥梁，为创建更美好的未来做出主要贡献。我们的半导体帮助实现高效的能源管理和聪慧的交通出行，同时助力日益互联的天下实现安全、无缝的通信。
英飞凌设计、开拓、制造并发卖非常丰富的半导体和系统级办理方案。我们专注于汽车和工业电子、通信和信息技能、物联网、传感器技能和安全等业务领域。产品范围涵盖标准元件、软件、定制化的终端设备和系统办理方案，以及用于数字、仿照和稠浊旗子暗记运用的特定元件。
英飞凌ICE2HS01GICE2HS01G是一款高性能的高性能谐振模式掌握器芯片，专为半桥LLC谐振变换器设计，配备同步整流驱动，该芯片采取20pin DSO封装，支持30kHz至1MHz的开关频率范围，具备可调的最小开关频率和高准确度的频率设置。
在门级驱动方面，ICE2HS01G供应50%的占空比，并具有可调的高准确去世区韶光，为系统供应了出色的稳定性和可靠性。同步整流的支持使得该芯片适用于各种半桥LLC谐振变换器操作模式，同时内部和外部禁用功能增加了对系统的灵巧掌握。
ICE2HS01G还领悟了多重保护机制，包括主电输入欠压保护、三个级别的过流保护以提升动态性能、开环/过载保护、可调的空缺韶光和重启韶光，以及可调的过温保护带有锁定关断功能，最大程度担保系统的安全性。
英飞凌IDP2308英飞凌IDP2308是一个数字多模式PFC和LLC掌握器，集成了浮动高侧驱动器和启动单元。数字引擎为多模式操作供应高等算法，以支持全体负载范围内的最高效率，实现了全面且可配置的保护功能。DSO-14 封装仅须要最少的外部组件。集成的高压启动单元和前辈的突发模式可实现低待机功率。此外，集成了一个一次编程 （OTP） 单元，以供应一组广泛的可配置参数，有助于简化相位设计。
英飞凌IDP2308支持同步PFC和LLC突发模式掌握，PFC驱动器可配置并支持多模式，优化效率。可配置非线性LLC VCO曲线，软启动可配置，支持互换电压感应和X电容放电，最高支持300kHz事情频率。可以充分利用GaN器件的高频上风，低Qg、低Coss和低导通阻抗，实现效率和功率密度的提高，性能明显优于LLC+传统MOS的搭配。IDP2308支持可配置的保护功能，外围元件极简。
英飞凌IDP2308内建的处理器可利用dpVision软件通过半双工UART接口进行编程，配置PFC和LLC参数，利用内置的单次编程存储器进行参数存储。
展会预报英飞凌科技（中国）有限公司参加充电头网主理的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于C区C10，3月20-22日欢迎到临展会现场互换、洽谈。
充电头网总结随着快充功率的提升和二次同步整流降压转换器的成熟，给了高效率小体积LLC架构在快充上大显技艺的条件。LLC架构在大功率PD快充上取代了PFC+反激架构，软开关降落了开关损耗，同时搭配GaN和SiC第三代半导体元件，事情频率得到大幅提高，可得到更高的转换效率和功率密度。
