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High NA EUV光刻机是目前天下上最前辈的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下前辈制程大规模量产的必备武器。
帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，估量将支持公司新一代更强大的打算机芯片的生产。
此前，Intel已于去年12月吸收了环球首台High NA EUV光刻机，并在俄勒冈州晶圆厂完成了组装。
（图片来自网络侵删）
这次序递次二台设备的引入，将进一步提升Intel在高端芯片制造领域的竞争力，有望帮助公司在2025年实现对台积电等竞争对手的超越。
High NA EUV光刻机的引入，是Intel"IDM 2.0"计策的一部分，该计策旨在通过技能创新和工艺提升，重塑Intel在环球半导体家当的领导地位。
Intel操持在2027年前将High NA EUV技能用于商业生产，并在2030年前实当代工业务的进出平衡。
标签：刻机
