❤MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种运用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。
❤MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相称于NPN的三极管；P沟道相称于PNP的三极管。实际设计及运用中，N沟道MOS管占绝大多数，以是下面以N沟道MOS管为例进行讲解（如图1中Q3，栅极-G；漏极-D；源极-S）。
❤MOS管的利用常日可以分为两种环境：
①参与普通的逻辑掌握，和三极管一样作为开关管利用，电流可达数安培，如图1为MOS管驱动直流电机电路。R6下拉电阻是必须的（取值一样平常10--20k），事理和NPN三极管下拉电阻一样；事理拜会文章《三极管的“非教科书式”解析，什么正偏、反偏都统统滚蛋！
》。
此类运用的MOS管Vgs电压大于门槛电压4.5V（又叫平台电压）即可正常利用。小功率的逻辑掌握本人还是选择利用三极管。
图1：逻辑掌握MOS管
②参与PWM掌握，例如文章《直流电机PWM调速器如何设计》；桥式驱动电路以及开关电源电路等运用广泛。
如图2为有刷直流电机桥式驱动电路，G1、G2、G3、G4为推挽PWM掌握，VS1、VS2接电机，可实现大功率直流电机调速，正反转掌握。此类运用的MOS管Vgs电压大于10V，常日利用12V（为担保导通深度，PWM的幅值为12V）。且G极的电阻必须是小电阻常日取4.7--100Ω，与电阻并联一个反向二极管，目的是担保MOS管的关断速率比导通速率快，防止上桥与下桥直通短路。
图2：有刷直流电机桥式驱动电路
❤彻底理解MOS管，我们应从以下两点入手：
①什么是米勒效应，米勒效应下为什么会有Vgs平台电压；
②MOS管的开关损耗、导通损耗、续流损耗。
如图3所示，G极与D极存在极间电容Cgd，G极与S极存在极间电容Cgs，当G极有高电平旗子暗记时，电容Cgs充电到门槛电压4.5V时，DS极开始导通，D极电平低落趋近于0V，此过程电容Cgd开始充电，使G极电压在短韶光内保持在4.5V，这便是米勒效应。
图3：米勒效应测试事理图
该门槛电压Vgs便是MOS管的平台电压；该平台电压的在MOS管开通和关断期间都存在，其宽度与G极电阻有直接的关系。
如图4为G极电阻为10Ω时MOS管开通的波形，赤色代表Vgs的电压波形，蓝色代表Vds的电压波形。平台电压的宽度很窄（黄色箭头），在平台电压下DS极间是变阻区，Vds很窄（绿色箭头）。
图4：G极电阻为10Ω，Vgs与Vds波形（开通）
如图5为G极电阻为100Ω时MOS管开通的波形，平台电压的宽度变宽明显（黄色箭头），在平台电压下DS极间是变阻区，Vds变缓（绿色箭头）。
图5：G极电阻为100Ω，Vgs与Vds波形（开通）
如图6为G极电阻为200Ω时MOS管开通的波形，平台电压的宽度变宽更明显（黄色箭头），在平台电压下DS极间是变阻区，Vds变缓更大（绿色箭头）。
图6：G极电阻为200Ω，Vgs与Vds波形（开通）
如图7为G极电阻为200Ω时MOS管关断的波形，同样有平台电压的存在。
图7：Vgs与Vds波形（关断）
❤MOS管的损耗意味着发热，要使MOS管正常事情，必须理解各种损耗。如图8：
开关损耗分为MOS管的开通损耗和关断损耗，G极电阻的大小决定了开通和关断的速率，该电阻越大开关损耗越大；
导通损耗取决于DS极间导通后的等效电阻Rds(on)，该电阻越大导通损耗越大；
续流损耗指的是S极到D极间的正向二极管的损耗，该损耗常日不考虑（本文略）。
图8：MOS管的紧张损耗
❤如图9，对MOS管的选型，紧张参数都会在前面直接给出（红框内），DS极耐压（Vdss）常日选择事情电压的1.5--2倍；漏极电流（Id）常日选择事情电流的5--10倍；Rds(on)只管即便越小越好。其余G极的Vgs电压范围是±20V以内，险些所有的MOS管都如此。
图9：MOS管参数
以是，MOS管的开关损耗跟设计有直接的关系，缩短导通和关断韶光可有效降落开关损耗；末了，驱动MOS管的推挽电路很多都已集成在驱动芯片内部，输出能力很强，常日电流可达1A。
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