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韩媒在宣布中提到，根据产品性子的不同，纵然同一节点曝光层数量也并非完备固定。不过总体来说，三星电子 3nm 工艺的均匀 EUV 曝光层数量仅为 20 层；
而在估量于 2027 年量产的 SF1.4 制程中，EUV 曝光层的数量有望超越 30 层。
▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E
随着前辈制程的演进，对晶体管尺寸的哀求逐渐严苛。而在曝光层中用 EUV 光刻取代传统 DUV，可实现更高光刻精度，进一步提升晶体管密度，在单位面积中容纳更多的集成电路。
（图片来自网络侵删）
在此背景下，前辈逻辑代工企业积极购进 ASML 的 EUV 机台。
以台积电为例，根据IT之家此前宣布，其今明两年将统共吸收超 60 台 EUV 光刻机。韩媒预估台积电到 2025 年底将拥有超 160 台 EUV 光刻机。
此外 DRAM 内存行业的 EUV 光刻用量也在提升：
在第六代 20~10nm 级工艺（即 1c nm、1γ nm）上，三星电子利用了 6~7 个 EUV 层，SK 海力士利用了 5 个 EUV 层，美光也在此节点首次导入了 EUV 光刻。
