融合Adaptive OOK技能纳芯微增强型数字隔离芯片问市_耐压_浪涌

图1：纳芯微推出基于“Adaptive OOK”技能的新一代数字隔离芯片NSi82xx

NSi82xx系列采取创新性的“Adaptive OOK”技能，将抗共模瞬态滋扰能力提升至200kV/us以上，使得该产品具有更强的可靠性和稳定度，更加符合GaN、MOSFE等高速开关场合对快速瞬态滋扰免疫的严苛哀求。
基于知足加强绝缘标准的隔离工艺，NSi82xx的内部隔离层耐压提升至12kVrms 以上，浪涌耐压提升至10kV以上，并使其达到双边ESD耐压超过15kV、绝缘事情电压超过1500Vrms的能力。
该隔离工艺已经由充分的可靠性验证，知足批量产品化哀求。

图2：NSi82xx在电路、封装、工艺设计等方面采取多项专利技能

相较于前一代NSi81xx系列数字隔离芯片，NSi82xx在隔离层耐压、浪涌耐压、最小抗共模瞬态滋扰度及抗电源噪声能力等性能上均有较大幅度提升。
此外，其型号覆盖单通道至六通道，产品系列更加丰富。

图3：NSi82xx系列比NSi81xx系列数字隔离芯片有较大性能提升

NSi82xx系列数字隔离芯片可运用在通信、数字电源、工控、光伏、新能源汽车等系统中，特殊适宜于对隔离耐压哀求较高、须要加强绝缘的各种严苛运用环境。