芯片制造工艺——CMP【图文介绍】_机械_化学

▌CMP：

Chemical Mechanical Polishing，

学名：化学机器研磨，有的地方叫抛光。

1985年， IBM发明了化学机器研磨，利用化学浸染和机器力使金属和介质表面平坦化。

▌为什么须要化学机器研磨（CMP）呢？

由于工艺制程的缘故原由，晶圆表面参差不齐，印刷电路模板在叠加的时候，由于凹凸不平，以是不能精确的复制，故而电路层不能更好的增加。

▌化学机器研磨（CMP）带来的好处是啥？

使晶圆的表面平坦且光滑，提升良好的性能，提高了刻模良率和图案可靠性，使得每一层可以更好地叠加利用，统一了流程。

▌化学机器研磨（CMP）在工艺上的紧张运用：

1.浅沟槽（STI）的 形成，

2.介质层的平坦化（PMD 和 IMD），

3.钨塞的形成，

4.铜互连，

5.深沟的电容形成，

▌化学机器研磨（CMP）在工艺制程上紧张考量的点（影响的成分）：

1.研磨时的压力；

2.旋转的速率；

3.研磨液的流速；

4.研磨垫的清洁度；

化学机器研磨的示意图如下，

化学机器研磨的设备如下，

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