显微镜剖析OM 无损检测:蔡司
金相显微镜OM

做事先容:可用来进行器件外不雅观及失落效部位的表面形状,尺寸,构造,毛病等不雅观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与打算机(数码相机)通过光电转换有机的结合在一起,不仅可以在目镜上作显微不雅观察,还能在打算机(数码相机)显示屏幕上不雅观察实时动态图像,电脑型金相显微镜并能将所须要的图片进行编辑、保存和打印。

做事范围:可供研究单位、冶金、机器制造工厂以及高档工业院校进行金
属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用
做事内容:1.样品外不雅观、描述检测
2.制备样片的金相显微剖析
3.各种毛病的查找
体视显微镜OM 无损检测:蔡司
做事先容:体视显微镜,亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器,从不同角度不雅观察物体,使双眼引起立体觉得的双目显微镜。对不雅观察体无需加工制作,直接放入镜头下合营照明即可不雅观察,成像是直立的,便于操作和解剖。视场直径大,但不雅观察物哀求放
大倍率在200倍以下。
做事范围:电子精密部件装置检修,纺织业的品质掌握、文物 、邮票的
赞助鉴别及各种物质表面不雅观察
做事内容:1.样品外不雅观、描述检测
2.制备样片的不雅观察剖析
3.封装开帽后的检讨剖析
4.晶体管点焊、检讨
X-Ray无损检测:德国依科视朗
做事先容:X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子溘然减速,其丢失的动能会以X-Ray形式放出。而对付样品无法以外不雅观办法不雅观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变革,产生的比拟效果可形成影像,即可显示出待测物的内部构造,进而可在不毁坏待测物的情形下不雅观察待测物内部有问题的区域。
做事范围:产品研发,样品试制,失落效剖析,过程监控和大批量产品不雅观测
做事内容:1.不雅观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip平分歧封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板
2.不雅观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情形
3.不雅观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装毛病,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接毛病
C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检测:sonix
1.材料内部的晶格构造,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层毛病.4.空洞,气泡,空隙等.
I/V Curve advanced smart-1
做事先容:验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失落效剖析流程中,I/V Curve的量测每每是非毁坏剖析的第二步(外不雅观检讨排在第一步),可见Curve量测的主要性。
做事范围:封装测试厂,SMT领域等
做事内容:1.Open/Short Test
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage(泄电)Test
SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
(材料构造剖析/毛病不雅观察,元素组成常规微区剖析,精确丈量元器件尺寸)
扫描电镜(SEM)
做事先容:SEM/EDX(描述不雅观测、身分剖析)扫描电镜(SEM)可直策应用样品表面材料的物质性能进行微不雅观成像。EDX是借助于剖析试样发出的元素特色X射线波长和强度实现的,根据不同元素特色X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过比拟不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。常日EDX结合电子显微镜(SEM)利用,可以对样品进行微区身分剖析。
做事范围:军工,航天,半导体,前辈材料等
做事内容:1.材料表面描述剖析,微区描述不雅观察
2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布剖析
3.薄膜样品表面描述不雅观察、薄膜粗糙度及膜厚剖析
4.纳米尺寸量测及标示
5.微区身分定性及定量剖析
EMMI微光显微镜 ADVANCED P-100
常用泄电流路径剖析手段,探求发热点,
微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)
做事先容:对付故障剖析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相称有用且效率极高的剖析工具。紧张侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination会放出光子(Photon)。如在P-N结加偏压,此时N阱的电子很随意马虎扩散到P阱,而P的空穴也随意马虎扩散至N,然后与P真个空穴(或N真个电子)做EHP Recombination。
做事范围:故障点定位、探求近红外波段发光点
做事内容:1.P-N接面泄电;P-N接面崩溃
2.饱和区晶体管的热电子
3.氧化层泄电流产生的光子引发
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
Probe Station 探针台测试 advanced pw-800
做事先容:探针台紧张运用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。广泛运用于繁芜、高速器件的精密电气丈量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发韶光和器件制造工艺的本钱。
做事范围:8寸以内Wafer,IC测试,IC设计等
FIB 线路修正,FEI Scios 2 DualBeam
切线连线,切点不雅观测,TEM制样,精密厚度丈量等
聚焦离子束,Focused Ion beam
做事先容:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经由离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子旗子暗记取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流落子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面描述加工。
做事范围:工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域
做事内容:1.芯片电路修正和布局验证
2.Cross-Section截面剖析
3.Probing Pad
4.定点切割
ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失落效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。失落效剖析前还有一些必要的样品处理过程。
取die 用酸法去掉塑封体,漏出die
decap(开封,开帽)advanced pst-2000
芯片开封机DECAP紧张用于芯片开封验证SAM,XRAY的结果。
做事先容:Decap即开封,也称开盖,开帽,指给完全封装的IC做局部堕落,使得IC可以暴露出来,同时保持芯片功能的完全无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失落效剖析实验做准备,方便不雅观察或做其他测试(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。
做事范围:芯片开封,环氧树脂去除,IGBT硅胶去除,样品剪薄
做事内容:1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等
2.样品减薄(陶瓷,金属除外)
3.激光打标
化学开封Acid Decap
做事先容:Acid Decap,又求乞学开封,是用化学的方法,即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸堕落芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全,并且产生干净无堕落的芯片表面。
做事范围:常规塑封器件的开帽剖析包括铜线开封
做事内容:1.芯片开封(正面/背面)
2. IC蚀刻,塑封体去除
切割制样:
做事先容:可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调度步进电动机的切割间隔、力度、样品输入比率和自动进刀比率。做事范围:各种材料,各种厚度模样形状切割
做事内容:1.通过样品冷埋注塑得到样品的标准切面
2.小型样品的精密切割
研磨RIE
做事先容:RIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的事理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在个中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。
做事范围:半导体,材料化学等
做事内容:1.用于对利用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,个中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨器件表面图形的刻蚀
自动研磨机
做事先容:适用于高精微(光镜,SEM,TEM,AFM,ETC)样品的半自动准备加工研磨抛光,模块化制备研磨,平行抛光,精确角抛光,定址抛光或几种办法结合抛光。
做事范围:紧张运用于半导体元器件失落效剖析,IC反向
做事内容:1.断面风雅研磨及抛光
2.芯片工艺剖析
3.失落效点的查找
做事先容:可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调度步进电动机的切割间隔、力度、样品输入比率和自动进刀比率。
做事范围:各种材料,各种厚度模样形状切割
做事内容:1.通过样品冷埋注塑得到样品的标准切面
2.小型样品的精密切割
去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也须要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray不雅观察封装内部情形以及分层失落效。
除了常用手段之外还有其他一些失落效剖析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,翱翔韶光质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量丢失 X 光微区剖析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。
芯片失落效剖析步骤:
1、非毁坏性剖析:紧张是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部构造,等等;
2 、电测:紧张工具,万用表,示波器,sony tek370a
3 、毁坏性剖析:机器decap,化学 decap芯片开封机
半导体器件芯片失落效剖析 芯片內部分析,孔洞气泡失落效剖析






