英诺赛科产品部Shawn表示：“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降落损耗。VGaN 器件采取单 Gate 设计，通过掌握 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降落整体系统本钱。”
为便于客户验证和导入，英诺赛科同步供应 BMS 系统办理方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中表示出明显上风，具备巨大的市场潜力。
产品特性支持双引导通，双向截止，无反向规复极低的栅极电荷超低的导通电阻 100V/3.2mΩ超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm运用领域电池管理系统 (BMS)双向变换器的高侧负荷开关电源系统中的开关电路性能与上风
INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A，150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款产品采取兼容引脚设计，均为 FCQFN 4x6mm 封装，客户可以根据不同的运用需求进行规格选型。
INV100FQ030A 规格书首页
英诺赛科100V 氮化镓系列产品已量产三款WLCSP 封装产品（INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A），两款 FCQFN 封装产品（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。当前新增一款FCQFN 封装双引导通 VGaN 芯片 INV100FQ030A，进一步丰富了 100V InnoGaN 系列，扩大运用范围，也为更广泛的场景供应选择。基于持续创新与核心技能的提升，英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速运用系统小型化、更高效、更节能。
目前，INV100FQ030A 已进入小批量试产，如需申请样品，或查询详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型、VGaN BMS系统Demo方案等资料，可以通过英诺赛科微信公众年夜众号私信/留言联系获取。
关于英诺赛科英诺赛科是环球领先的第三代半导体高新技能企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有环球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，当前产能15000片/月，产品设计及性能处于国际前辈水平。英诺赛科供应从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品，涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，并为客户供应全氮化镓方案设计参考。自2015年景立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超3亿颗。产品可广泛运用于消费电子、数据中央、汽车电子及新能源等前沿领域。
英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新天下！
