这次中芯国际取得打破的是BCD工艺平台，它跟传统我们说的几纳米工艺有着很大的差异，本日这条视频，我就来给大家讲讲，这个BCD工艺到底是咋回事？
当然，首先还是要再强调一下，纳米只是制造工艺过程中的一个数值，严格来说，不能大略粗暴地按照纳米去划分芯片的等级。举个例子，5nm的手机芯片，跟7nm的电脑芯片，谁的性能更好，谁更高端呢？自然无法相互比较。而中芯国际的55nm工艺，跟传统的几纳米压根也不是一回事。
那么我们先来说什么是BCD工艺。
BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS，个中的Bipolar是用于高精度处理仿照旗子暗记的双极晶体管，CMOS是用于设计数字掌握电路的互补金属氧化物半导体，DMOS是用于开拓电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。
像我们平时说的2nm芯片、5nm芯片，都是CMOS器件。
而BCD工艺指的是一种单片集成技能，详细便是把Bipolar器件、CMOS器件和DMOS器件制作到同一个芯片上，由意法半导体在1985年率先研制成功。
很明显，这样的办法得到了取长补短的效果，充分发挥了三者的上风，可大幅降落功率消耗，提高系统性能，节省电路的封装用度，并具有更好的可靠性。
那么，大家认知里的几纳米跟BCD工艺的几纳米完备是两个观点和事物，没有任何可比性，这点一定要把稳。
目前，BCD工艺的紧张发展方向有三种，分别是：
1、高压BCD方向
电压范围是500-700V，利用轻掺杂的外延层制作器件，使表面电场分布更加平坦从而改进表面击穿的特性，使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压，可用于电子照明和工业运用的功率掌握。
2、高功率BCD方向
电压范围是40-90V，紧张的运用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压，而掌握电路每每比较大略。
3、高密度BCD方向
紧张电压范围是5-50V，紧张用于汽车电子运用。
那么经由30多年的发展，意法半导体不断升级BCD工艺，从第一代的4微米发展到了第九代的0.11微米以及第十代的90纳米。
当然，在BCD工艺方面，我国也有多家厂商涉足，例如在去年6月份，晶圆大厂华虹半导体就宣告，其 90nm BCD工艺在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。
而关于中芯国际55nmBCD工艺的，来自近日中芯国际发布的2022半年报，个中提到，55纳米BCD工艺（高压显示驱动平台）已经完成平台开拓，并导入客户，实现批量生产。
也便是说，之前最前辈的BCD便是90nm工艺，而中芯国际已经取得了55nm BCD工艺的打破，比拟起来，中芯国际的BCD工艺目前在环球范围内来说处于领先地位。像半导体发到的韩国，其头部晶圆代工厂Key Foundry直到今年才宣告，180nm高压BCD工艺开始量产，跟中芯国际还有一定的差距。
那么，中芯国际的高制程BCD工艺紧张针对工业和汽车运用的中高压BCD平台和车载BCD平台，以及为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片供应办理方案。
BCD工艺的紧张运用在电源管理、显示驱动、汽车电子、工业掌握等领域。近年来，环球智能化的发展速率越来越快，在显示驱动和电源管理两大市场驱动下，BCD工艺备受关注，有越来越多的公司进入该领域，进行干系工艺和产品的开拓。以是，BCD工艺作为一种前辈的单片集成工艺技能，具有广阔的市场前景。
总之，我们不能听风便是雨，看到55nm之后，不分是非黑白就去诋毁我们自己的晶圆厂。正所谓，没有调查就没有发言权，当我们努力查证、做出求证往后，不得不给中芯国际竖起一个大拇指，真的是好样的！
好了，本日咱们就聊到这儿，大家有什么想法可以在评论区留言，一起参与谈论。记得关注我，我是老万，感激大家，来日诰日我们不见不散。
