这块芯片采取了一种双芯片设计,这种技能可以通过添加额外的PHY来进行扩展,芯片不同单元间以及不同芯片之间可以形成互联。每个小芯片具有15个金属层。台积电采取了四个Arm Cortex-A72内核,针对turbo频率大于4GHz电压操作,配备了高性能单元并定制设计1级高速缓存单元,这一模块有两个L2缓存块,每个1 MiB,这些是利用它们的高电流位单元实现的,并以半速运行。此外,还有一个大型的6 MiB L3缓存,利用高密度位单元实现,并以四分之一速率运行。在1.2V的电压下,Cortex内核可以达到4GHz,实测最高达到了4.2GHz。
台积电称,这款芯片是为高性能打算平台设计,这也阐明其主频为何如此惊人。虽然目前和天下主流芯片大厂有着一定差距,但近年来台积电一步一脚印,有着厚积薄发的态势。(校正/Kelven)











