HMC8412芯片为制造商创造新动力_芯片_混频器

亚德诺半导体技能(上海)有限公司

亚德诺公司在全新的生产线搭建完成，该生产条线可以在砷化镓基片上集成电路，这就使得HMC8412芯片的事情频率范围在0.4GHz至11GHz之间，宽阔的事情频率带，可以适应多个不同的事情频率波段，可以广泛运用于各种规格的通讯产品。

波段图

亚德诺公司在HMC8412芯片上的用料也是相称的踏实，大量的假晶高电子迁移率晶体管集成在这块芯片上，它的增益直接达到了15.5dB（范例值）旁边，这就决定了HMC8412芯片具有更优秀的放大功能，可知足不同倍率的功率放大需求，乃至可以实现高功率输出。

高功率输出图

在降噪技能上，ADI公司在HMC8412芯片上利用成熟的低噪声放大技能，精良的高斯降噪算法使得芯片的噪声系数低至约1.4dB（范例值）旁边，此特性将担保HMC8412芯片在高功率放大输出的同时，仅产生细微的噪声，不会对输出旗子暗记产生不良的影响。

高斯滤波图

还有，得益于亚德诺公司出色的芯片级电路调校，HMC8412芯片的输出三阶交调节点 (OIP3) 不会大于33dBm（范例值），因此可广泛用于单平衡混频器、双平衡混频器和三平衡混频器上。

混频器图

其余，HMC8412芯片从5V漏极电源电压仅需60mA电流，可基片的材料砷化镓具有优秀的半导电性子和兼具硅和锗的优点，实现以极低的电流掌握芯片开关状态，具有极高的灵敏度，能够更快速的相应高频旗子暗记，更精准的驱动电路。

驱动电路设计图

HMC8412芯片的饱和输出功率 (PSAT) 同样精良，其其峰值不高于20.5dBm（范例值），因此可用于设计低噪声放大器 (LNA) 平衡、同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器确当地振荡器 (LO) 驱动器。
并且HMC8412芯片的低NF LNA (0.4GHz-11GHz)具有内部匹配至50Ω的输入和输出，因此，该器件非常适宜用于基于表面贴装技能 (SMT) 的大容量微波无线电运用。
目前HMC8412芯片采取符合的RoHS指令是2mm × 2mm、6引脚LFCSP封装。

HMC系列芯片图