征象①
你是否碰着过这样的情形?IC芯片空载时,输出电压正常,但当带上负载后,输出电压立时就会往下掉。这是怎么回事呢?
征象②

如图为MOS管的驱动波形,可以看出开启过程并不顺利。这是为什么呢?
正常情形下,带载后的电压可能会比空载电压略低,但低落幅度不明显。如果输出电压低落太多,可能缘故原由有两种:
①后级负载短路,输出电压直接到地。这时候须要确认后级电路是否有虚焊或元件破坏。
②IC驱动能力不足。
二、什么情形下要考虑驱动能力?
任何情形都要考虑,包括数字旗子暗记处理的接口电路中。但是常说的驱动能力都是在驱动功率器件的情形下用的比较多,比如上面提到的MOS驱动。
三、如何判断IC的驱动能力?
查看芯片资料,里面都有解释I/O口的驱动能力。根据你的负载所须要的驱动能力来判断这个IC的I/O口是否符合。前面征象②明显是MOS管的驱动能力不敷造成的。
由于国外器件采购的限定,很多公司都面临IC国产化问题,我们也一样。
拿到样品后我们须要做干系的实验,例如最近有一款代替MOS管的驱动芯片。大概解释一下测试方法(之前我有一篇文章写的是关于如何估算MOS的驱动电流的文章,如果不是替代实验,不知道驱动电流大概多少的可以看一下。)
可以先估算MOS管的驱动电流,假设300mA。同等条件下,再比拟两款芯片带假负载后芯片的温升及负载电压。如果温升和电压差不多,就直接驱动MOS,再做进一步实验,否则不可用。
搞懂元器件,就搞懂了电路的一半
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