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专利择要显示，本发明公开了一种利用 MOS 特性提高短路保护能力的电路，包括：第一 MOS 管 Q1；第二 MOS 管 Q2；第一比较器 U1；第二比较器 U2；所述第二 MOS 管的栅极连接第二比较器的输出端，所述第二比较器的同相端连接参考电压 Vref1，所述第二比较器的反相端连接第一比较器的输出端以及微掌握器 MCU 输出的使能旗子暗记 Enable，所述第一比较器的同相端连接参考电压 Vref；所述第一 MOS 管的源极与地之间连接有采样电阻；所述第一比较器的反相端连接采样电阻。通过丈量第一 MOS 管 Q1 的栅源极 GS 的打开韶光，使得使能旗子暗记 Enable 与第二 MOS 管 Q2 驱动完备绑定，在第二 MOS 管 Q2 的栅源极打开后，使能旗子暗记 Enable 在第一 MOS 管 Q1 的可变电阻区时拉高，否则一贯置低，从而能够大幅度提高 PMOS 管的瞬态过流能力。
本文源自金融界
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