这时候，作为目前环球最快的功率开关器件之一，GaN被视为手机快充的未来。这是由于新型的GaN快充与传统快充比较，它拥有更大的功率密度；同时，由于具有更高的能量转化效率，也具有更低的功耗并减少发热。此外，GaN功率器件的开关频率显著高于传统快充中的Si功率器件，因此可以实现体积更小的充电器产品设计，有望成为快充技能升级的主要方向。目前来看，采取GaN材料的快速充电器已成星火燎原之势，逐渐成为行业主流。
亚成微电子于近期成功推出了一款E-Mode GaN FET直驱掌握ZVS反激芯片RM6801SN，这也是海内首个直驱氮化镓功率器件ZVS反激掌握器，补充了海内空缺。
亚成微RM6801SN是一款高性能高可靠性电流掌握型PWM开关掌握芯片，内置700V高压启动、X-cap放电、可调互换输入Brown in/out等功能，事情频率高达130KHz，全电压范围内待机功耗小于65mW，知足六级能效标准；并且支持CCM/QR稠浊模式以及拥有完备的各种保护功能，专有ZVS技能降落GaNFET开关损耗，改进EMI特性。采取专有驱动技能，直驱E-MODE GaN功率器件，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降落EMI器件本钱，完美运用于大功率快速充电器。 。
陕西亚成微电子株式会社是一家专注高速功率集成技能的高端仿照IC设计公司，拥有10年以上的仿照电路设计公司运营履历。公司具有国际领先技能水平设计团队，所研产品涵盖 5G 通讯设备和功率电子两大领域，紧张为5G通讯设备供应关键的核心芯片ET- PA；物联网终端及可穿着设备用的高功率密度DC-DC电源芯片（MHz）；AC-DC电源管理芯片和LED驱动芯片。产品可被广泛运用于通讯设备、无人机、消费类电子、工业掌握以及各种新型智能终端领域。
在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户供应高功率密度快充办理方案，目前已推出了海内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、采取新一代PWM掌握技能（自供电双绕组架构）的低级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时又配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。
