科创类型的公司，不仅要看其当下的古迹，更主要的是未来，未来的技能进步，未来的市场空间。作为A股少有的存储器设计企业，东芯股份可同时供应NAND、NOR、DRAM等存储芯片完全办理方案。
值得一提的是，东芯股份也在积极研发前辈制程的闪存产品，比如与中芯国际互助研发的1x纳米闪存项目。目前在2D NAND领域，三星电子、铠侠、美光科技的最高制程分别为16纳米、24纳米和19纳米，若东芯股份成功量产1x纳米闪存，则有望追上行业第一梯队。
古迹爆发
东芯股份古迹快报显示，2021年净利润为2.62亿元，较招股书净利润上限还高0.22亿元。对付古迹大涨的缘故原由，东芯股份表示随着2021年市场回暖，公司产品构造持续优化，高附加值产品提升，同时规模效应逐步显现，发卖毛利率提升。其余，对完成导入期的客户发卖规模逐步扩大、规模效应逐步显现，使得公司闪存芯片发卖规模持续扩大。
东芯股份的紧张产品分为NAND、NOR、DRAM和MCP，个中NAND价格的回暖对东芯股份毛利率最为明显。2020年、2021年1-6月，NAND占上市公司总营收的比例分别为50.89%、51.32%，营收占比变革不大，但毛利率表现却迥然不同。2020年，NAND产品毛利率仅为23.02%；2021年1-6月大幅升至43.81%。
这是由于NAND价格的大幅上涨，东芯股份2020年NAND单价为4.66元/颗，2021年1-6月升至7.63元/颗，价格涨幅高达63.73%。
静待发卖放量
事实上，东芯股份2021年纪迹表现如此精良，也是由于产品进入放量期。芯片行业新产品发卖一样平常需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程，所有验证通过后，方可逐步形成规模化的发卖。
个中，平台验证须要3-6个月的韶光，以测试产品功能、性能与平台系统的适配性；产品验证须要3-6个月的韶光，以实现产品与客户整体系统的软硬件环境适配；供应商认证须要6个月-2年的韶光，以评估公司是否知足技能、质量、体系、交货等哀求。经历上述流程后，根据客户终端产品的发卖情形，逐步放量，形成规模化发卖。
华鑫证券认为，东芯股份的产品已得到广泛平台认证，期待发卖逐步放量。据悉，东芯股份已与多家主控芯片平台厂商构建了生态互助，通过产品在平台厂商验证的办法，不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入韶光。
目前，东芯股份已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、复兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等各大主流平台验证，进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等有名客户的供应链体系。
2021-2022年，东芯股份在通讯设备、可穿着设备等领域的大客户已完成前期导入，未来产品发卖有望进一步放量，从而提升公司的持续盈利能力。
值得把稳的是，随着汽车智能化、电动化的发展，汽车电子的需求进步神速，比如赞助驾驶系统、电池管理系统等，汽车中配置的电子零组件占比越来越高。根据Gartner的数据显示，2019年环球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，由于智能汽车领域的快速发展，估量至2024年，环球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019-2024年复合增速达79.8%。
车规级存储芯片，也是东芯股份主要的发展方向。东芯股份表示，在知足客户工业级运用需求的根本上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车家当在智能网联功能的布局，大力发展可靠性哀求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。
要知道，车规级存储芯片在工艺技能、利用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片哀求更高。对此，东芯股份认为其凭借在存储芯片领域多年的履历积累和技能储备，打造了以低功耗、高可靠性为特点的闪存芯片产品，部分产品的温控能力、利用寿命已经达到车规级哀求，具备了车规级闪存产品的家当化研发能力。
闪存制程水平持续提升
芯片行业属于成本密集型、技能密集型行业，若要坚持较高的毛利率水平，必须基于相应的高尖端技能。
目前，东芯股份闪存在工艺制程、部分产品性能方面已达到海内前辈水平。NAND方面，长江存储已量产3D NAND，不过其紧张面向大容量市场，目标市场与东芯股份有所差异。在中小容量NAND领域，目前兆易创新已量产38纳米SLC NAND 产品，由中芯国际代工。
而东芯股份38纳米、28纳米SLC NAND由中芯国际、中国台湾力晶代工；而由中芯国际代工的24纳米SLC NAND靠近量产水平。其余，1x纳米SLC NAND正在开拓中。
根据招股解释书显示，东芯股份的1x纳米项目便是19纳米系列产品，据理解，19纳米NAND Flash系列产品采取了海内前辈的1x纳米，缩小了器件的特色尺寸，进而缩小了产品封装后的尺寸，可以知足客户的不同需求。同时，也降落了产品功耗，器件性能均得到提高。
若东芯股份能成功量产1x纳米，或有机会在工艺制程方面遇上国际第一梯队。东芯股份认为，与中芯国际互助开拓生产1x纳米NAND Flash芯片，实现海内存储芯片前辈制程技能的进一步打破，从而为将来设计更高容量、更具本钱上风的产品打开空间，供应前辈工艺制程的保障。
芯片制程的升级意味着在单位存储面积上的存储单元密度将会增加，制程的缩小降落了存储芯片的生产本钱。从2013年开始，NAND Flash领先制程由2xnm逐渐转向1xnm，前辈制程是提高存储芯片本钱上风的关键。随着东芯股份产品制程的持续升级，其产品市场竞争力也将逐渐增强。
其余，东芯股份也在积极研发存算一体化芯片、DTR NAND等前瞻性产品，旨在拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来高技能壁垒产品有望实现更高的单价定位，优化公司产品构造，改进盈利中枢，为长期发展确立竞争上风。
作为人才密集型行业，芯片领域的人才是非常宝贵的。集成电路的研发须要干系人才具备踏实的专业知识、长期的技能沉淀和履历积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞争
力的根本，也是公司推进技能持续创新升级的关键。
比如在NAND产品领域，正是建立了履历丰富、秘闻深厚的人才团队，才推进东芯股份工艺制程不断演进，从38纳米升级至24纳米，并着力研发19纳米。
为了留住人才，东芯股份2月15日晚间发布股权勉励操持，向符合首次付与条件的77名勉励工具付与170.04万股限定性股票，付与价格为21.13元/股。
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