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长鑫存储申请ZQ校准方法专利实现理论上无数量限制的多芯片共享ZQ校准电阻_暗记_芯片

萌界大人物 2024-11-30 18:12:01 0

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专利择要显示,本公开履行例涉及半导体电路设计领域,特殊涉及一种单环、双环存储器器件和ZQ校准方法,单环存储器器件包括:主芯片和多个从芯片,设置有第一传输端和第二传输端;主芯片的第二传输端连接第一级从芯片的第一传输端,每一级从芯片的第二传输端连接下一级从芯片的第一传输端;主芯片设置有第一旗子暗记吸收器,从芯片设置有第二旗子暗记吸收器;第一旗子暗记吸收器用于吸收ZQ校准命令,主芯片基于ZQ校准命令开始校准,主芯片完成校准后发送ZQ标志旗子暗记;第二旗子暗记吸收器用于吸收ZQ标志旗子暗记,从芯片基于ZQ标志旗子暗记开始校准,从芯片完成校准后发送ZQ标志旗子暗记;本公开履行例通过设计一种新的掌握电路,以实现理论上无数量限定的多芯片共享ZQ校准电阻。

本文源自金融界

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