在设计降压转换器时，工程师常常忽略“故障”的问题。无论何时高端和低端MOSFET同时启动全部或部分韶光，都会发生击穿，从而许可输入电压直接将电流传输到地。
故障导致电流在切换时尖峰，导致转换器不能以最高效率事情。我们不能用电流探头来丈量故障，由于探头的电感会严重滋扰电路的运行。我们可以检讨两个场效应晶体管（FET）的栅极/源极电压，看是否有尖峰。这是检测故障的另一种方法。 （利用差分法可以监视上部MOSFET的栅极/源极电压。）我们可以利用以下方法来减少击穿的发生。
利用“固定去世区韶光”的掌握器芯片是可行的方法之一。该掌握器芯片确保在较低的MOSFET重新启动之前上层MOSFET关闭之前存在延迟。这个方法比较大略，但是在实现的时候要非常小心。如果去世亡韶光太短，可能无法防止这种征象的崩溃。如果去世区韶光过长，导通损耗将会增加，由于在全体去世区韶光内的根本场效应晶体管内置二极管已被激活。由于该二极管在去世区韶光内导通，因此利用该方法的系统的效率取决于底层MOSFET内置二极管的特性。另一种减少故障的方法是利用具有“自适应去世区韶光”的掌握器芯片。这种方法的优点是可以持续监视上部MOSFET的栅极/源极电压，以确定何时启动下面的MOSFET。当高端MOSFET启动时，通过电感检测在低端MOSFET的栅极发生dv / dt尖峰，从而将栅极电压推高（图4）。如果栅极/源极电压足够高以导通，则会发生击穿。
自适应去世区韶光掌握器卖力监控外部的MOSFET栅极电压。因此，任何新的外部栅极电阻都会将掌握器内置的下拉电阻部分分开，使得栅极电压实际上高于掌握器监控的电压。通过利用数字反馈电路来检测内置二极管的电导，并调度去世区延迟以最大限度地减少内置二极管的导通，以确保最高的系统效率，预测门驱动是另一个可行的办理方案。如果利用这种方法，则须要将更多的引脚添加到掌握器芯片中，从而芯片和功率模块的本钱将会增加。公司位于：
须要把稳的是，纵然采取预测性栅极驱动，由于dv / dt电感，也不能担保FET不会启动。高边MOSFET的启动延迟也有助于减少击穿条件。只管这种方法可以减少或完备肃清击穿征象，但缺陷是开关损耗较高，效率也降落。如果我们选择一个更好的MOSFET，它也将有助于降落涌如今底部MOSFET栅极的dv / dt电感器电压幅度。 Cgs和Cgd之间的比率越高，电感电压涌如今MOSFET的栅极上越低。分解测试情形每每被忽略。例如，在负载瞬态过程中 - 尤其是在负载减轻或溘然减少时 - 掌握器不断产生窄频率脉冲。
目前，大多数大电流系统是多相设计，利用驱动芯片驱动MOSFET。然而，利用驱动芯片可以使故障问题更加繁芜，特殊是当负载处于瞬态时。例如，窄带驱动脉冲滋扰，加上驱动传播延迟，将导致情形的崩溃。大多数驱动芯片制造商明确规定，掌握器的脉冲宽度不得低于某一最低哀求。低于这个最低哀求，MOSFET的栅极没有脉冲。此外，制造商还增加了驱动芯片的可编程去世区韶光（TRT）功能，以提高自适应转换时序的准确性。办理方法是添加一个电阻，用于设置可设置的去世区韶光引脚与地之间的去世区韶光，以确定高电平和低电平转换期间的去世区韶光。该死区韶光设置加传播延迟在转换期间禁用互补MOSFET，以防止同步降压转换器的击穿。
