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个中±50纳米气浮平台紧张运用于晶圆制造领域，以超高精密运动掌握技能针对晶圆制作环节进行精确检测，从而担保成品的合格率。
芯片不是天然长出来的，它的出身，是个繁芜漫长的旅行。制造芯片须要在晶圆片上不断累加图案，这些图案纵向连接，可达100多层。
芯片的制造包含数百个步骤，从设计到量产可能须要四个月的韶光。在晶圆厂的无尘室里，宝贵的晶圆片通过机器设备不断传送，全体过程中，空气质量和温度都受到严格掌握
芯片是如何制作出来的？
芯片制造的关键工艺：10大步骤
Step1 沉积
制造芯片的第一步，常日是将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体。
Step2 光刻胶涂覆
进行光刻前，首先要在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”，然后将晶圆放入光刻机。
Step3 曝光
在掩模版上制作须要印刷的图案蓝图。晶圆放入光刻机后，光束会通过掩模版投射到晶圆上。光刻机内的光学元件将图案缩小并聚焦到光刻胶涂层上。在光束的照射下，光刻胶发生化学反应，光罩上的图案由此印刻到光刻胶涂层。
Step4 打算光刻
光刻期间产生的物理、化学效应可能造成图案形变，因此须要事先对掩模版上的图案进行调度，确保终极光刻图案的准确。例如ASML将现有光刻数据及圆晶测试数据整合，制作算法模型，精确调度图案。
Step5 烘烤与显影
晶圆离开光刻机后，要进行烘烤及显影，使光刻的图案永久固定。洗去多余光刻胶，部分涂层留出空缺部分。
Step6 刻蚀
显影完成后，利用气体等材料去除多余的空缺部分，形成3D电路图案。
Step7 计量和考验
芯片生产过程中，始终对晶圆进行计量和考验，确保没有偏差。检测结果反馈至光刻系统，进一步优化、调度设备。这一部，就须要用到纳米级超精密运动平台这一关键设备了。
Step8 离子注入
在去除剩余的光刻胶之前，可以用正离子或负离子轰击晶圆，对部分图案的半导体特性进行调度。
Step9 视须要重复制程步驟
从薄膜沉积到去除光刻胶，全体流程为晶圆片覆盖上一层图案。而要在晶圆片上形成集成电路，完成芯片制作，这一流程须要不断重复，可多达100次。
Step10 封装芯片
末了一步，利用超精密运动平台，进行晶圆切割，得到单个芯片，封装在保护壳中。这样，成品芯片就可以用光降盆电视、平板电脑或者其他数字设备了！
芯片制造的过程就犹如用乐高盖屋子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠。芯片制造为国之重器，克洛诺斯±50纳米气浮平台让国产半导系统编制造为虎傅翼！
