以下是DSP硬件设计的一些把稳事变,各位同仁可以参考。
时钟电路选择原则
1,系统中哀求多个不同频率的时钟旗子暗记时,首选可编程时钟芯片;
2,单一时钟旗子暗记时,选择晶体时钟电路;
3,多个同频时钟旗子暗记时,选择晶振;
4,只管即便利用DSP片内的PLL,降落片外时钟频率,提高系统的稳定性;
5,C6000、C5510、C5409A、C5416、C5420、C5421和C5441等DSP片内无振荡电路,不能用晶体时钟电路;
6,VC5401、VC5402、VC5409和F281x等DSP时钟旗子暗记的电平为1.8V,建议采取晶体时钟电路
未用的输入／输出引脚的处理
1,未用的输入引脚不能悬空不接,而应将它们上拉活下拉为固定的电平
1)关键的掌握输入引脚,如Ready、Hold等,应固定接为适当的状态,Ready引脚应固定接为有效状态,Hold引脚应固定接为无效状态
2)无连接（NC）和保留（RSV）引脚,NC 引脚：除非分外解释,这些引脚悬空不接,RSV引脚：应根据数据手册详细决定接还是不接
3)非关键的输入引脚,将它们上拉或下拉为固定的电平,以降落功耗
2,未用的输出引脚可以悬空不接
3,未用的I/O引脚:如果确省状态为输入引脚,则作为非关键的输入引脚处理,上拉或下拉为固定的电平;如果确省状态为输出引脚,则可以悬空不接
为什么要片内RAM大的DSP效率高？
目前DSP发展的片内存储器RAM越来越大,要设计高效的DSP系统,就该当选择片内RAM较大的DSP。片内RAM同片外存储器比较,有以下优点：
1)片内RAM的速率较快,可以担保DSP无等待运行。
2)对付C2000/C3x/C5000系列,部分片内存储器可以在一个指令周期内访问两次,使得指令可以更加高效。
3)片内RAM运行稳定,不受外部的滋扰影响,也不会滋扰外部。
4)DSP片内多总线,在访问片内RAM时,不会影响其它总线的访问,效率较高。
如何编写DSP外部的Flash？
DSP的外部Flash编写方法：
1.通过编程器编写：将OUT文件通过HEX转换程序转换为编程器可以接管的格式,再由编程器编写。
2.通过DSP软件编写：您须要根据Flash的解释,编写Flash的编写程序,将运用程序和编写Flash的程序分别load到RAM中,运行编写程序编写。
DSP外接存储器的掌握办法
对付一样平常的存储用具有RD、WR和CS等掌握旗子暗记,许多DSP（C3x、C5000）都没有掌握旗子暗记直接连接存储器,一样平常采取的办法如下：
1.CS有地址线和PS、DS或STRB译码产生;
2./RD=/STRB+/R/W; 3./WR=/STRB+R/W。
5V/3.3V如何混接？
DSP的发展同集成电路的发展一样,新的DSP都是3.3V的,但目前还有许多外围电路是5V的,因此在DSP系统中,常常有5V和3.3V的DSP混接问题。在这些系统中,应把稳：
1)DSP输出给5V的电路（如D/A）,无需加任何缓冲电路,可以直接连接。
2)DSP输入5V的旗子暗记（如A/D）,由于输入旗子暗记的电压>4V,超过了DSP的电源电压,DSP的外部旗子暗记没有保护电路,须要加缓冲,如 74LVC245等,将5V旗子暗记变换成3.3V的旗子暗记。
3)仿真器的JTAG口的旗子暗记也必须为3.3V,否则有可能破坏DSP。
DSP事情的基本条件：
1)DSP电源和地连接精确。
2)DSP时钟精确。
3)DSP的掌握旗子暗记RS和HOLD旗子暗记接高电平。
4)C2000的watchdog关掉。
5)不可屏蔽中断NMI上拉高电平
6)READY引脚上拉高电平
