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▌EPI(EPITAXY)，中文:外延（成长）,有的地方称之为磊晶。
外延指的是在单晶Si衬底上定向成长薄层层的工艺，这种新成长出的薄膜层称之为外延层，衬底与外延层一起统称为外延片。实在便是在晶圆上长了一层薄薄的膜。
硅外延(EPI)是集成电路的紧张制作工艺之一，这个工艺不仅能让IC的器件做在有重掺埋层的轻掺外延层上，又能让它成长出PN结，办理了IC的隔离问题。硅外延片是制作分立器件非常主要的材料，由于它既能扛住PN结的高击穿电压,又能降落器件的正向压降。用硅外延片制作CMOS电路能很好的抑制闩锁(Latch up) 效应，因此硅外延片在CMOS器件中利用的相称广泛。
（图片来自网络侵删）
▌硅外延片的优点：减少了串联电阻，简化了隔离技能，减小了CMOS的可控硅效应。
▌EPI(外延)按照工艺分类：同质外延，异质外延。
▌EPI(外延)的好处
掺入杂质即可改变晶圆外延层的电学特性。通过交替成长不同的外延层可制作超晶格构造的单晶硅。▌EPI(外延)工艺中的化学反应
SiHxCl4-x +H2 ---> Si(固)+HCl(气)
掺杂气体：B2H6(P型），PH3(N型)
▌EPI(外延)时利用的硅源紧张有：SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2，SiH4。
SiCl4：适宜于IC的外延片，由于稳定纵然反应温度高也不易产生气相反应，反应室干净。
SiHCl3：优点,成长速率快，有利于减少自身掺杂，成长温度比SiCl4低，随意马虎发生气相反应。
SiH2Cl2：优点,成长温度最低，但成长速率较低，适宜于减压外延。
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