台积电第一，三星第二，这是过去对半导体市场的普遍评价。然而，随着环球首个3nm即将量产，台积电过去的上风将被冲破。
台积电没想到，首个量产的3nm芯片，竟然会出自别家之手，而且该芯片还采取了全新的3GAE 工艺技能，环球半导体发展也可能因此迎来分水岭。
三星近日宣告，有望在未来几周内，实现3nm芯片的量产。不仅如此，三星也将成为环球首个，利用环栅场效应晶体管，实现高制程芯片量产的企业。
让台积电更加揪心的是，自己生产的4nm天玑9000芯片，近日又被爆出功耗高和发热问题。
台积电采取的是FinFET构造，这种构造在应对高制程工艺的芯片时，本身就有很多问题。
例如前面提到的功耗和发热问题，便是由于FinFET构造的晶体管，随着芯片尺寸的缩小，芯片内部的沟道长度变窄，使得栅极对沟道的掌握能力变差，涌现的泄电征象导致的。
然而，三星采取的GAA 晶体管构造，在这方面，却有着天生的上风。
在GAA晶体管中，沟道呈现为水平状，而且会被栅极包围。再加上GAA的沟道，是利用外延和选择性材料去除形成的，研发职员可以通过调度通道的宽度，来精确的掌握沟道的状态。
一样平常情形下，沟道越宽，对性能的提升就越明显，而沟道越窄，则更有助于降落功耗。这意味着，研发职员可以根据实际须要，更加灵巧地掌握沟道的宽度，并在功耗和性能之间，找到更优的平衡点。
GAA晶体管是一种全新的构造，能从芯片设计的底层，改变过去工艺可能涌现的泄电征象，对提高芯片性能，和降落功耗有着双重叠加上风。
有业内人士认为，GAA构造的晶体管，有望使得芯片的尺寸，在原有的根本上，再降落25%旁边，实现新的打破。
反不雅观台积电，依旧徘徊在FinFET构造的痛点上，不能自拔。为了应对FinFET构造上劣势，台积电只能退而求其次，通过5纳米加强版N4P的3纳米，来为苹果供应下一代处理器。
台积电原以为，自己的芯片份额无人能敌，高制程工艺技能所向披靡；殊不知，环球半导体家当，已经悄然迎来一场变局。
除了三星的GAA新工艺技能，英特尔也开始在半导体技能研究上发力，有称，英特尔操持在2024年之前，接管环球半导系统编制程的领导地位。
不仅如此，英特尔还得到了阿斯麦下一代光刻机的优先供货权，这让英特尔为虎傅翼。
根据阿斯麦的方案，新一代的EUV光刻机将采取高数值孔径，NA值将由过去的0.33，提升至0.55。
NA值是评估光刻机前辈程度的主要参数，NA值越高，意味着在同等大小的晶圆上，能刻蚀的电路图分辨率会更高，芯片所包含的晶体管数量也会更多。
由于台积电在芯片供货办法上，采纳了差异对待，让各地区如坐针毯，包括欧美、日韩等地区，均已启动了新的半导体发展操持。
早知如此，何必当初。从技能上看，前有三星、英特尔，后有半导体新势力，从供应商上看，台积电也不再是阿斯麦的独宠，台积电的未来，又还剩下什么呢？
台积电本以为，手中有技能，未来有客户，背后还有阿斯麦的帮助，殊不知，这些上风正在逐渐损失。
如今的半导体企业，如雨后春笋，各种新技能、新观点被提出，而且随着新材料、新工艺的涌现，过去台积电老一套的技能体系，也将面临被淘汰的要风险。
要知道，台积电如今采取的技能体系，也并不完美。芯片良率上不去，设备本钱高，耗电量大，这些也正在逐渐制约台积电的发展。
台积电要明白一个道理，不是台积电造就了这个时期，而是这个时期，造诣了台积电。
三星3nm芯片呼之欲出，越来越的半导体新生力量，也在快速发展。包括我们自研的芯片技能，也在稳步提升，可以绝不夸年夜地说，半导体行业即将迎来一轮大洗牌。
虽然三星的GAA工艺，也还面临着良率低等问题，但至少办理了新工艺从无到有的过程。等待台积电的，将是一次大寻衅。
芯片变局，谁胜谁负，让我们拭目以待。
