目前，该闪存已通过多家有名掌握器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。
3D NAND即三维闪存技能。过去，人们用到的存储芯片是平面的，相称于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。
只管这颗存储芯片不到芝麻大小，却内藏乾坤，拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后，三维闪存新的技能形态，具有大容量，高密度等特点，适宜于读密集型运用。TLC的每个“存储细胞”可存3bit数据，而QLC的每个“细胞”能存4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一颗芯片的存储容量达到惊人的1.33Tb，相称于1362Gb。
得益于“存储细胞”的不断扩容，以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，这次先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高的存储密度、传输速率和单颗闪存芯片容量。
2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步开释了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片才得以快速打破。
“从64层量产至128层研发成功，仅相隔了7个月，还有一半韶光是在疫情之中。”长江存储首席实行官杨士宁表示，作为闪存行业的新进入者，长江存储用短短3年韶光，将中国的三维存储芯片推向了128层高度。“这是数千名研发职员汗水的凝聚，也是百口当高下游通力协作的成果。”
闪存和固态硬盘领域市场研究公司认为，QLC技能降落了NAND闪存单位字节的本钱，更适宜作为大容量存储介质。128层QLC闪存将率先在大容量U盘，闪存卡和固态硬盘中遍及，并将为做事器和数据中央带来更低的读延迟，广泛用于AI打算、机器学习、实时剖析和大数据中的读取密集型运用。
