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刨根问底:固态硬盘的闪存为何有BGA和TSOP两种封装形式_闪存_固态

萌界大人物 2024-12-07 02:44:09 0

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电脑老玩家们该当还记得第一代DDR内存以及更早的SDRAM内存条,当时内存颗粒也普通利用TSOP封装。
下图是一条条记本SDRAM内存条,事情频率100MHz,容量64MB:

而从DDR2开始,内存条颗粒全面转向BGA封装,事情频率和容量都比过去更高。

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通过上面的例子大家该当已经能够猜出,TSOP并不适宜高速旗子暗记传输,在存储密度上也不及BGA封装。
但是对付固态硬盘来说,TSOP封装能够在Toggle标准下实现400MT/s传输速率,足以应对SATA固态硬盘的需求。

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(图片来自网络侵删)

只管TSOP在理论上不足前辈,但在2.5寸SATA固态硬盘当中有足够的空间容纳大量的颗粒,在SATA3.0接口的限定下TSOP闪存性能也没有空间或者性能上的瓶颈。

东芝TR200就部分利用了TSOP封装的3D TLC闪存,实惠稳定的口碑并没有受到TSOP的影响。

即便是在体积更紧凑的M.2固态硬盘中,同样有利用TSOP封装闪存颗粒的型号,基本都属于SATA协议的产品。
PCB横向宽度足够容纳它,四颗颗粒也完备填满主控的四个闪存通道,没有不良影响。

而在高速NVMe固态硬盘当中,清一色都是BGA封装的闪存颗粒,这是闪存读写带宽的须要,也是完全利用主控闪存通道的须要。

BGA封装可以取得比TSOP更高的接口速率,闪存同主控之间的数据传输速率可以提升到533MT/s以上,知足填饱PCIE 3.0 x4接口的需求。
同时,采取BGA封装的闪存颗粒可以引出多个闪存通道,从而充分利用高端NVMe主控的8通道上风。

作为NVMe旗舰机型,东芝RD500利用了8通道TC58NC1201GST主控,搭配96层堆叠BiCS4 3D TLC闪存,取得了标杆级的性能表现。

对付未来PCIE 4.0固态硬盘而言,下一代铠侠(原东芝存储)BiCS5将供应1200MT/s的闪存接口,如此高的传输速率唯有BGA封装才能实现。
而入门级的SATA固态硬盘或将连续沿用成熟的TSOP封装形式,这也是闪存知足不同需求的表示。

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