基本功能特点如下:
1.对一个page(256bytes) program在范例情形下是0.64ms.

2.对一个sector(512Kbit)擦除范例情形下是0.6ms.

3.对16Mbit全擦除大概须要13s.
4.供电电压支持2.7~3.6V之间。
5.通信方面是通过SPI总线。
6.时钟频率最高可以跑到75MHz。
7.深度低功耗模式下能把电流降到1uA.
8.支持十万次以上的擦写次数。
9.支持硬件写保护功能
10.数据保存年限超过20年。
功能概况描述这款Flash数据单元位宽是8bit,所以是2Mx8bit,通过高速SPI总线读写,能达到非常高的读写速率。通过page编程指令可以一次完成对1~256bytes的编程。
它的16Mbit容量按照这样分布的:统共有32个sector,每个sector里面包含256个page,每个page有256个byte,以是统共是8192个page,擦除可以选择对这个Flash擦,或者擦除一个sector。
它的引脚图和旗子暗记列表如下所示,非常大略明了。
管脚旗子暗记先容
为了更详细的理解这款Flash每一个管脚的意义,下面对每个引脚都做个先容:
1.D旗子暗记(Serial Data input):SPI接口的数据输入旗子暗记,用于吸收主控给flash发送的指令,地址和要写入flash的数据。
2.Q旗子暗记(Serial Data Output):SPI接口数据输出旗子暗记,当主控须要读flash数据时,通过Q端按照串行的办法把数据传输出去。
3.C旗子暗记(Serial Clock):由于SPI接口的时钟旗子暗记是由主机发出的,在这里flash属于从机。以是时钟旗子暗记对付它来说是输入脚,D旗子暗记在时钟的上升沿被锁存,Q旗子暗记在时钟的低落沿变革。
4.S旗子暗记(Chip Select):片选旗子暗记,低电平有效,当该旗子暗记被拉底时,解释该flash当选中,此时主控可以通过SPI总线读写或者擦除flash。
5.Hold旗子暗记:该旗子暗记用于停息flash和主控之间的通信,该操作须要在S旗子暗记为低电平的时候进行,也便是主控想暂时停滞与flash通信,又不想取消S旗子暗记时利用,该模式下Q旗子暗记是高电平的。
6. W旗子暗记(Write Protect):flash内部会有一些区域被硬件保护起来,不能读写或者擦除,该旗子暗记的浸染便是开释这些被保护的区域。
7.VCC和VSS:这便是电源和地管脚,大家都理解就不多先容了。
实际芯片SOP16的管脚排布图如下所示,DU是无用的PIN,不用关心。
Flash操作模式
1.Page Programming
想要对flash写入1byte 数据,须要两条指令:写使能指令和Page Program序列,也便是说要先发两条指令见告flash接下来要进行什么操作,再把要写的数据传进去。也便是说会有4byte的冗余数据,当然,它支持最高一次写入256byte数据,这时候的有效带宽就很高了。须要把稳的是,program指的是对flash内的存储bit从1改成0.
2.Sector擦除或者整块擦除
上面说了编程是从1到0,那么擦除便是从0到1.常日flash在利用前都是先擦除成1,然后program。个中,擦除办法可以根据用户需求选择擦除一个sector或者这个存储空间。
下图是全体flash的构造框架图:
关于flash的读写指令,以及读写掌握的时序波形图在这里就不再详细先容,由于只有当您须要真正须要利用这款flash的时候才须要去理解。如果大家有须要详细资料也可以在评论区留言,
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