激光剥离（LLO），是利用激光分解衬底材料与外延成长材料之间的缓冲层，实现外延片从衬底上分离的技能。激光剥离设备是一种主要的半导体设备，紧张用于LED家傍边，可以剥离载板上的PI薄膜，衬底上的氮化镓、碳化硅材料等，例如在剥离蓝宝石衬底上的氮化镓时，在担保氮化镓薄膜完全性的同时可以减少蓝宝石衬底磨损率，具有降本、提质、增效等浸染。
根据新思界家当研究中央发布的《2022-2026年激光剥离设备行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在环球范围内，激光剥离设备生产商紧张有美国相关Coherent、美国IPG Photonics、德国3D-Micromac、韩国QMC、韩国AP Systems、韩国Philoptics、中国大族激光等。在柔性OLED显示领域，采取柔性PI薄膜作为基板，柔性PI薄膜在玻璃载体上成长得到，须要进行剥离。在环球范围内，美国相关在柔性OLED显示用PI薄膜激光剥离设备市场中份额占频年夜。
Micro LED（微米发光二极管），具有分辨率高、色彩饱和度高、亮度高、反应速率快、体积小、能耗低、寿命长等优点，可大幅提升用户不雅观看体验，是显示技能发展趋势，在环球范围内，三星、LG、夏普、索尼、京东方、三安光电等国内外企业均在大力布局，MicroLED芯片研发速率随之加快。在我国，三安光电在湖北培植了MicroLED氮化镓芯片、MicroLED砷化镓芯片研发基地。
以MicroLED氮化镓芯片为例，其氮化镓材料须要在蓝宝石衬底上外延成长得到，激光剥离氮化镓是关键环节。用于MicroLED氮化镓芯片领域的激光剥离设备须要具备极高的激光束均匀度与稳定性，其制造技能壁垒高，环球生产企业数量少。在我国，2019年，大族激光推出用于Micro LED显示领域用全自动LLO激光剥离设备，具有激光光束均匀、功率稳定、事情效率高的优点。
发展到现阶段，半导体材料已经升级至第三代，代表性材料除氮化镓外，还有碳化硅。碳化硅材料可以广泛运用在5G通信、新能源汽车、航空航天等领域，碳化硅激光剥离也成为影响第三代半导体材料发展的主要技能之一。2022年，我国中电科二所利用激光剥离技能，在自主搭建的实验测试平台上成功实现了小尺寸碳化硅单晶片激光剥离，有利于推动我国第三代半导体材料运用市场发展。
新思界行业剖析人士表示，我国半导体家当规模弘大，是环球最大的显示面板生产国，为实现“制造大国”向“制造强国”转变，我国半导体家当、显示面板家当技能不断升级，对干系设备的性能与品质哀求不断提高。一贯以来，我国半导体设备生产实力弱，需求对外依赖度大，在激光剥离设备领域，我国企业研发、生产能力正在不断增强，市场国产化率有望不断提升。
