这款1200V 75mΩ SiC Mosfet已经通过了车规级测试，且得到了海内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续还将陆续推出该平台下的系列规格产品。
清纯半导体成立于2021年3月，是海内领先的碳化硅功率器件设计和供应商，去年底完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资。
公司成立一年来，技能和产品研发同步推进。目前，清纯半导体已打破国产SiC功率器件设计及大规模制造的瓶颈，开拓出了具有自主知识产权的SiC二极管及Mosfet器件产品，成为目前海内唯一一家能够在SiC器件核心性能和可靠性上达到国际一流水平、且实现基于海内产线量产SiC Mosfet的企业。
自中国明确双碳目标以来，我国新能源行业进入超过式发展阶段。新能源汽车行业步入爆发期，这催生出了巨大的功率器件市场。国家“十四五”操持点名发展“碳化硅等宽禁带半导体”，希望海内厂商能尽快追赶国际水平，推出自主可控的产品。
SiC功率器件具有高压、高温及高频的独特上风，是新一代电力转换的核心器件，可以显著提高电力转换效率。目前，SiC功率器件已经在新能源汽车、光伏逆变器、储能等领域得到广泛运用。
SiC Mosfet作为运用最广泛的碳化硅功率器件，早已在海内干系行业龙头企业——比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛利用，而且需求在迅速扩大。不过，SiC Mosfet干系核心技能始终未被打破，在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，海内市场紧张被国外厂商霸占。
该器件紧张有18V驱动和15V驱动两个类型。个中，15V驱动产品上风更加明显：客户采取15V驱动的产品，一是系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降落了驱动损耗；三是海内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套随意马虎。
但是，15V驱动的产品开拓难度更大，对产品设计水平和制造工艺的哀求也更高。目前，海内已有个别厂家能够少量供应 18V 驱动的 SiC Mosfet 产品，但国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiC Mosfet，加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的替代。这进一步拉开了与海内产品的技能代差。
这次清纯半导体发布的15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，首次补充了海内该系列产品空缺，带领海内SiC功率器件技能跻身国际领先水平。
相较国际主流产品，清纯半导体推出的15V驱动1200V SiC Mosfet器件产品，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗的特点，综合损耗更小且效率更高。
下表是清纯半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）的比较：
清纯半导体 Mosfet 与国际一流产品（源于各产品的规格书）比较
除首款1200V 75mΩ SiC Mosfet产品之外，清纯半导体还完成了1200V全系列碳化硅功率器件的产品化，可供应1200V 15A、20A、30A、40A等规格SiC SBD（碳化硅-肖特基二极管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiC Mosfet（18V和15V驱动可选）。
清纯半导体供应的SiC器件比肩国际前辈水平产品的性能，可广泛运用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域，直接实现SiC器件的国产替代，进一步推动国产高性能功率芯片的发展和运用。
