作为海内大功率高功率密度快充办理方案的开拓者，亚成微电子在近日推出了一款高集成度的电源管理芯片RM6620DS，芯片采取行业领先的3D封装技能，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM掌握器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W，具有高效率、高导热率、高通流、高雪崩耐量等特点。
芯片采取wQFN88封装，可使电源系统设计更加简洁，大大节省开关电源元件数量，减少PCB体积，提高开关电源的功率密度，有效地帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料本钱。
RM6620DS是一款内置高压超结MOSFET、高性能高可靠性电流掌握型PWM开关掌握芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，知足六级能效标准，并且支持CCM/QR稠浊模式。
RM6620DS集成多种事情模式，在重载情形下，系统事情在传统的固频130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情形下，系统事情在QR模式，以降落开关损耗，同时结合PFM事情模式提高系统效率。
RM6620DS采取专有的分段驱动技能，搭配超结MOSFET改进EMI设计；在轻载或空载情形下，系统事情在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6620DS本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频事情模式，以改进EMI。
RM6620DS同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定（uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP）、CS短路保护、输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。
亚成微电子是一家专注高速功率集成技能的高端仿照IC设计公司，在USB PD快充领域，致力于为客户供应高可靠性的高功率密度快充办理方案，目前已推出海内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、海内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激掌握芯片RM6801SN以及采取新一代PWM掌握技能（自供电双绕组架构）的低级主控芯片RM6715S、RM6717S；同时推出了基于RM6801SN/RM6601SN的高功率密度大功率氮化镓快充方案以及高集成度小功率快充方案，已实现目前快充市场主流功率段覆盖。
