场效应管
场效应管（FET）是一种利用电场效应来掌握电流的半导体器件。它有三个引脚：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。栅极上的电压可以改变半导体中的导电沟道，从而影响漏极和源极之间的电流。
场效应管有两大类：结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。JFET是一种利用反向偏置结来形成栅极的FET。它有两种类型：N沟道JFET和P沟道JFET，分别由N型半导体和P型半导体构成。JFET的事情事理是利用栅极结上的反向偏置电压来掌握沟道的宽度，从而掌握沟道的电阻和电流。JFET的特性是输入阻抗高，输出阻抗低，噪声小，功耗低，但是增益低，线性度差，失落真大。
MOSFET是一种利用金属-氧化物-半导体构造来形成栅极的FET。它有四种类型：增强型N沟道MOSFET、增强型P沟道MOSFET、耗尽型N沟道MOSFET和耗尽型P沟道MOSFET，分别由不同的掺杂办法和事情模式构成。MOSFET的事情事理是利用栅极上的电压来改变沟道中载流子的浓度，从而掌握沟道的导通或截止。MOSFET的特性是输入阻抗极高，输出阻抗低，增益高，线性度好，失落真小，但是噪声大，功耗高，随意马虎受静电破坏。
场效应管的紧张特点和上风是：
它是一种电压掌握器件，不须要输入电流就可以掌握输出电流。它具有高输入阻抗和低输出阻抗，可以实现高效率和低损耗的放大或开关功能。它具有较高的频率相应和温度稳定性，可以用于高速和高精度的旗子暗记处理或逻辑掌握。它具有较小的体积和重量，可以实现大规模集成和微型化场效应管的运用非常广泛，紧张有以下几个方面：
作为放大器，可以实现高增益、低噪声、高频率和低失落真的旗子暗记放大。作为阻抗变换器，可以将高阻抗的旗子暗记源与低阻抗的负载匹配，提高旗子暗记传输的效率和质量。作为可变电阻，可以根据栅极电压来调节沟道电阻，实现电路的调节和掌握。作为恒流源，可以供应稳定的电流输出，用于偏置电路或参考电流。作为电子开关，可以快速地切换沟道的导通或截止，用于开关电源或逻辑电路。晶闸管
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，是一种具有四层交错P、N层的半导体器件。它可以用小电流（电压）掌握大电流（电压），具有单引导电、高效率、低功耗、快速开关等特点，广泛运用于电力电子领域。
晶闸管的类型晶闸管的类型很多，根据构造、事情事理和特性，可以分为以下几种：
单向晶闸管（SCR）：是最基本和最常用的一种晶闸管，它有三个极：阳极、阴极和门极。它只能在正向偏置时导通，且须要门极旗子暗记来触发导通。它可以承受高电压和大电流，但不能自行关断，须要外部回路来割断电流。双向晶闸管（TRIAC）：是一种可以在正反两个方向导通的晶闸管，它有两个极：主极1和主极2，以及一个门极。它可以用门极旗子暗记来掌握两个方向的导通，但不能自行关断，须要外部回路来割断电流。可关断晶闸管（GTO）：是一种可以自行关断的晶闸管，它有三个极：阳极、阴极和门极。它只能在正向偏置时导通，且须要门极旗子暗记来触发导通。它可以用反向的门极旗子暗记来割断电流，无需外部回路。静态感应晶闸管（SIT）：是一种没有门极的晶闸管，它有两个极：阳极和阴极。它只能在正向偏置时导通，且须要高压或高温来触发导通。它可以自行关断，但须要低压或低温来割断电流。晶闸管的构造、事情事理和特性晶闸管的构造、事情事理和特性与其类型有关，这里以单向晶闸管为例进行先容。
单向晶闸管的构造如图所示：
单向晶闸管由四层半导体材料组成：P-N-P-N。个中P1层和N4层分别连接阳极和阴极，N2层连接门极。P1-N2和P3-N4分别形成两个PN结：J1和J3。N2-P3形成一个PN结：J2。
单向晶闸管的事情事理如下：
当阳极正向偏置时，J1和J3导通，J2反向偏置，晶闸管处于阻断状态。此时，如果给门极加上一个正向的脉冲旗子暗记，就可以使J2导通，从而使晶闸管导通。导通后，纵然去掉门极旗子暗记，晶闸管仍旧保持导通，直到主电路电流降到一定值（称为保持电流）以下，或者给阳极加上一个反向电压，才能使晶闸管关断。单向晶闸管的特性如下：
单向晶闸管是一种单引导电的器件，只能在阳极正向偏置时事情。单向晶闸管是一种半控型的器件，只能用门极旗子暗记来掌握其导通，不能用门极旗子暗记来掌握其关断。单向晶闸管是一种高压大电流的器件，可以承受几千伏的电压和几千安的电流。单向晶闸管是一种快速开关的器件，可以在微秒级的韶光内完成导通和关断。晶闸管的紧张特点和上风晶闸管的紧张特点和上风如下：
晶闸管具有高效率、低功耗、小体积、轻便、耐冲击、龟龄命等优点。晶闸管可以用小电流（电压）掌握大电流（电压），实现对电力系统的灵巧调节和掌握。晶闸管可以实现无触点、无火花、无噪音、无机器磨损的开关操作，提高了可靠性和安全性。晶闸管可以实现对互换电的整流、调压、逆变、调频等功能，扩展了电力电子技能的运用范围。总结晶闸管是一种主要的电力电子器件，它具有四层交错P、N层的构造，可以用小电流（电压）掌握大电流（电压），具有单引导电、高效率、低功耗、快速开关等特点。晶闸管根据构造、事情事理和特性，可以分为单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管和静态感应晶闸管等类型。晶闸管具有高效率、低功耗、小体积、轻便、耐冲击、龟龄命等优点，可以实现对电力系统的灵巧调节和掌握，以及对互换电的整流、调压、逆变、调频等功能，广泛运用于电力电子领域。
