Photoresist：叫光刻胶，又叫光阻，也称光致抗蚀剂，简称PR。紧张由感光剂、树脂、溶剂和其他添加剂组成的对光反应较敏感的一种稠浊化学药品。将其均匀涂在晶圆(wafer)表面，经由曝光和显影处理后形成图案(pattern)。
光刻胶按照功能可分为两类：正光阻和负光阻
1.正光阻
化学机理：曝光后，产生光酸而可以溶解TMAH(2.38%的四甲基氢氧化铵)，为酸碱中和反应，这是当前主流的一种。
2.负光阻
化学机理：曝光后，光刻胶由于发生光学的交联反应而硬化不溶于溶剂，未曝光部分可以溶于有机溶剂。原来用的居多，目前运用极少。
缺陷：易涌现溶胀征象，且分辨率较低。
负光阻_193i
化学机理：光阻中添加有光酸，以及光致碱等物质。经由曝光后部分酸碱中和，故在显影过程不会发生反应。未曝光部分由于有酸，和TMAH可以发生化学反应。这类属于研发阶段，运用较少。
研发目的：减小由于pattern density 过小，NLIS太小的问题.
负光阻_G2
化学机理：曝光后，光刻胶由于发生光学交联反应而硬化而不溶于TMAH显影液，未曝光部分可以溶解，分外脾气况下会利用。
研发初衷：办理lens heating过大的问题。
光刻胶按照用场可分为三种：ArF、KrF、Iline 光刻胶。
1.Iline光刻胶
紧张三个部分组成：感光剂，树脂，溶剂。
PAC(感光剂) : 一种光活性化合物（DNQ），通过高压能量溶解或连接。
Resin(树脂) : 一种薄膜材料（Novalac聚合物）:
Solvent(溶剂) : 溶解感光剂和树脂：70%以上为溶剂，紧张是为了掌握粘度。
2.KrF光刻胶
紧张四个部分组成：感光剂，树脂，抑制剂，溶剂。
PAG(感光剂) : 一中光活性化合物，光电酸发生器，通过高压能量溶解或连接。
Resin(树脂) : 一种薄膜材料（聚合物），碱溶性材料。
Inhibitor(抑制剂) : Inhibitor in Alkali material(Dev.)==> Crosslinker for Nega Resist
Solvent（溶剂） : 溶解感光剂，树脂和抑制剂。
ps:不好意思哈，ArF干系的资料暂未找到，等往后找到后在更新，感激！
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